[发明专利]用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置

权利要求书

1.一种用于向半导体结构施加应力的装置，所述半导体结构具有前表面、背表面以及周向边缘，所述装置包括：

结构夹持物，所述结构夹持物包括顶板和背板用于邻近所述结构的周向边缘接触所述结构，所述顶板适合于接触所述结构的所述前表面，以及所述背板适合于接触所述结构的所述背表面，所述顶板和所述背板还适合于在所述顶板、背板与所述结构的周向边缘之间形成外围腔。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述顶板和背板适合于与所述结构形成密封以有利于产生跨所述结构的压差。

3.根据权利要求2所述的装置，还包括与所述外围腔流体连通的泵，用于产生足以在所述结构上施加应力的跨所述结构的压差。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述结构夹持物还包括外围环，所述外围环适合于在所述外围环、顶板、背板以及所述结构的周向边缘之间形成腔。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括主腔，所述结构夹持物被安装在所述主腔中。

6.根据权利要求5所述的装置，还包括与所述主腔流体连通的泵，用于在所述主腔和所述外围腔之间产生压差。

7.根据权利要求1所述的装置，还包括用于加热所述结构的加热元件。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括压缩板，用于接触所述结构的所述前表面以在所述结构上施加力。

9.根据权利要求1所述的装置，与具有适合于接触所述顶板和/或所述背板的涂层的结构组合。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置适合于同时径向扩张多个半导体结构。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述背板适合于邻近所述结构的周向边缘接触所述结构，以及其中所述结构夹持物包括多个顶板。

12.一种用于向通常圆形的半导体衬底施加应力的装置，所述衬底具有中心轴、通常垂直于所述中心轴的前表面和背表面、从所述前表面延伸到所述背表面的外围边缘、以及邻近所述外围边缘在所述背表面中的周向槽，所述装置包括：

结构夹持物，包括：

通常平坦的背板，具有环形凸台，所述环形凸台适合于被接收在所述衬底的所述背表面中的所述槽中，所述凸台是可移动的以在所述衬底上施加应力。

13.根据权利要求12所述的装置，与所述衬底组合，所述衬底包括在所述衬底的所述背表面中的槽，所述凸台被接收在所述槽中。

14.根据权利要求12所述的装置，还包括前板，所述前板在所述结构上施加向下的力以防止所述结构从所述凸台松脱。

15.根据权利要求12所述的装置，其中所述凸台为第一凸台，所述装置还包括具有第二凸台的前板，所述第二凸台适合于被接收在所述衬底的所述前表面中的槽中。

16.根据权利要求12所述的装置，还包括用于加热所述结构的加热元件。

17.一种用于向通常圆形的半导体衬底施加应力的装置，所述衬底具有中心轴、通常垂直于所述中心轴的前表面和背表面、从所述前表面延伸到所述背表面的外围边缘、以及邻近所述外围边缘结合到所述背表面的环，所述装置包括：

结构夹持物，包括：

通常平坦的背支撑，具有凸缘，所述凸缘适合于啮合在所述衬底的所述背表面上的所述环，所述支撑是可移动的以在所述衬底上施加应力。

18.根据权利要求17述的装置，与衬底组合，所述衬底包括结合到所述衬底的所述背表面的环。