[发明专利]电容器结构

权利要求书

1.一种电容器结构，其包括：

第一导电层，其包括第一导电材料；

第一绝缘层，其邻近于所述第一导电层与所述第一导电层设置在相同平面中，其中所述第一绝缘层包含各向异性导电膏ACP；

第一电介质层，其位于所述第一导电层和所述第一绝缘层上；以及

第二导电层，其位于所述第一电介质层上并且包括第二导电材料，

其中所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其进一步包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一电介质层上并且邻近于所述第二导电层与所述第二导电层设置在相同平面中。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述第一绝缘层或第二绝缘层包含感光材料。

4.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述第一绝缘层或第二绝缘层包含正聚酰亚胺或正光刻胶。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其进一步包括：

在所述第一导电层下方的衬底；

电连接到所述第一导电层的第一外部触点；以及

电连接到所述第二导电层的第二外部触点，

其中所述第一外部触点或所述第二外部触点中的一个延伸到所述衬底中。

6.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一导电材料包括铜，并且所述第二导电材料包括镍。

7.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一导电材料包括镍，并且所述第二导电材料包括铜。

8.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一导电材料包括铝，并且所述第二导电材料包括钛。

9.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一导电材料包括钛，并且所述第二导电材料包括铝。

10.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一导电层是通过使用第一蚀刻剂而形成，并且其中使用所述第一蚀刻剂对所述第一导电层进行蚀刻的蚀刻速率不同于使用所述第一蚀刻剂对所述第二导电层进行蚀刻的蚀刻速率。

11.根据权利要求1所述的电容器结构，其进一步包括位于所述第二导电层上的第二电介质层。

12.根据权利要求11所述的电容器结构，其中所述第二电介质层是所述第二导电材料的氧化物。

13.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一电介质层是所述第一导电材料的氧化物。

14.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一电介质层是不透光的。

15.根据权利要求1所述的电容器结构，其进一步包括位于所述第一电介质层上的保护层。

16.根据权利要求15所述的电容器结构，其中所述保护层是不透光的。

17.根据权利要求1所述的电容器结构，其进一步包括：

电连接到所述第一导电层的第一外部触点；以及

电连接到所述第二导电层的第二外部触点，

其中所述第一外部触点包含所述ACP。

18.根据权利要求17所述的电容器结构，其中所述第二外部触点包含所述ACP。