[发明专利]电容器结构有效
申请号: | 201810288103.0 | 申请日: | 2018-04-03 |
公开(公告)号: | CN109755387B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 李旗章;吕文隆 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H10N97/00 | 分类号: | H10N97/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 结构 | ||
一种电容器结构包含第一导电层、第一绝缘层、第一电介质层和第二导电层。所述第一导电层包含第一导电材料。所述第一绝缘层邻近于所述第一导电层与所述第一导电层设置在相同平面中。所述第一电介质层位于所述第一导电层和所述第一绝缘层上。所述第二导电层位于所述第一电介质层上,并且包含第二导电材料。所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。
技术领域
本揭示涉及一种电容器结构及其制造方法。
背景技术
电容器可包含夹在两个导电层之间的电介质层。举例来说,陶瓷电容器是固定值电容器,其中陶瓷材料充当电介质。所述陶瓷电容器由陶瓷与金属的交替层构成(金属层充当电极)。多层陶瓷电容器(MLCC)由多个平行堆叠在一起并且经由终端表面接触的单独电容器构成。然而,电介质层与电极层之间的不对齐可能会对电容器的性能或功能产生不利影响。
发明内容
在一或多个实施例中,电容器结构包含第一导电层、第一绝缘层、第一电介质层和第二导电层。第一导电层包含第一导电材料。第一绝缘层邻近于第一导电层与第一导电层设置在相同平面中。第一电介质层位于第一导电层和第一绝缘层上。第二导电层位于第一电介质层上并且包含第二导电材料。第一导电材料不同于第二导电材料。
在一或多个实施例中,电容器结构包含第一导电层、第一绝缘层、第一电介质层和第二导电层。第一绝缘层邻近于第一导电层与第一导电层设置在相同平面中并且包含第一电介质材料。第一电介质层位于第一导电层和第一绝缘层上并且包含第二电介质材料。第二导电层位于第一电介质层上。第一电介质材料不同于第二电介质材料。
在一或多个实施例中,用于制造电容器结构的方法包含:在衬底上形成第一导电层;在第一导电层上形成第一电介质层;在第一电介质层上形成第二导电层;形成第一沟槽以曝露第一导电层的第一侧表面和第二导电层的第一侧表面;在第一导电层的第一侧表面中形成第一凹部;在第一凹部中形成第一绝缘层;形成第二沟槽以曝露第一导电层的第二侧表面和第二导电层的第二侧表面;在第二导电层的第二侧表面中形成第二凹部;在第二凹部中形成第二绝缘层;并且在第二沟槽中形成第一外部触点且在第一沟槽中形成第二外部触点。
在一或多个实施例中,电容器结构包含第一导电层、第一绝缘层、第一电介质层、第二导电层和第一外部触点。第一绝缘层邻近于第一导电层与第一导电层设置在相同平面中。第一电介质层位于第一导电层和第一绝缘层上。第二导电层位于第一电介质层上。第一外部触点电连接到第一导电层并且包含第一导电层和第二导电层。
附图说明
图1是根据本揭示的一些实施例的电容器结构的截面图。
图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H、图2I、图2J、图2K和图2L示出根据一些实施例的用于制造图1所示的电容器结构的方法。
图3是根据本揭示的一些实施例的电容器结构的截面图。
图4是根据本揭示的一些实施例的电容器封装结构的截面图。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H、图5I、图5J、图5K、图5L和图5M示出根据一些实施例的用于制造电容器结构的方法。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G、图6H、图6I、图6J、图6K和图6L示出根据一些实施例的用于制造电容器结构的方法。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F、图7G、图7H、图7I、图7J和图7K示出根据一些实施例的用于制造电容器封装结构的方法。
图8是根据本揭示的一些实施例的电容器封装结构的截面图。
图9是根据本揭示的一些实施例的电容器封装结构的截面图。
图10是根据本揭示的一些实施例的电容器封装结构的截面图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810288103.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。