[发明专利]均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置及方法有效

专利信息
申请号: 201810288503.1 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108281372B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 倪党生 申请(专利权)人: 上海思恩装备科技股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201611 上海市松*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 均匀 刻蚀 集成电路 芯片 处理 装置 方法
【说明书】:

发明提出一种均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置及方法,承载体通过圆柱体连接结构挂载在振动装置上;圆柱体连接结构包括设置于振动装置的下端的第一圆柱体、设置于承载体的上端的第二圆柱体,第二圆柱体可转动连接在第一圆柱体上且可相对第一圆柱体上下运动;转动传动机构连接承载体,以带动承载体通过圆柱体连接结构而相对振动装置转动;抖动机构连接承载体,以带动承载体通过圆柱体连接结构而相对振动装置上下抖动,且承载体的上下抖动的范围小于等于第二圆柱体可相对第一圆柱体上下运动的范围。本发明的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置及方法,可提升基片刻蚀的均匀性。

技术领域

本发明涉及集成电路芯片湿处理技术领域,尤其涉及的是一种均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置及方法。

背景技术

集成电路产业是20世纪以来日新月异发展的信息网络技术和微电子技术的基础,是影响我们日常生活及各个产业的核心技术,与我们的日常生活息息相关。从当前人们生活离不开的手机电脑网络,到各种交通工具的研发,几乎每个产业的发展都离不开集成电路半导体产业,集成电路已经深入到生活的方方面面,随着社会产业技术的发展而发挥起着越来越重要的作用。

集成电路芯片设计制造业是集成电路产业的核心和主体,它是加速半导体集成电路产业的发展创造的基础。集成电路基片的湿法刻蚀清洗等处理过程贯穿在整个芯片制造的过程中,占据了25%以上的生产环节。基片湿处理工艺过程中用到的很多化学液体对基片的刻蚀清洗都有越来越高的要求,随着集成电路集成度的不断提高,其线宽进入了越来越小的纳米级结构,保证基片表面纳米级结构的刻蚀均匀性成为湿法清洗处理中越来越重要的环节。

基片刻蚀的不均匀性会造成集成电路芯片很多问题,如在传感器芯片机构中无法有效构建成其关键的桥状物理传感结构,从而影响器件的功能与寿命;在集成度越来越高的集成电路中,刻蚀的不均匀性会使得其PN结中平整度不好,影响集成电路整体参数;产生次品及废片率高等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置及方法,可提升基片刻蚀的均匀性。

为解决上述问题,本发明提出一种均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,包括:振动装置、承载体、转动传动机构、抖动机构及圆柱体连接结构;

承载体通过所述圆柱体连接结构挂载在振动装置上;所述圆柱体连接结构包括设置于所述振动装置的下端的第一圆柱体、设置于所述承载体的上端的第二圆柱体,所述第二圆柱体可转动连接在所述第一圆柱体上且所述第二圆柱体可相对所述第一圆柱体上下运动;

所述转动传动机构连接所述承载体,以带动所述承载体通过所述圆柱体连接结构而相对所述振动装置转动;所述抖动机构连接所述承载体,以带动所述承载体通过所述圆柱体连接结构而相对所述振动装置上下抖动,且所述承载体的上下抖动的范围小于等于所述第二圆柱体可相对所述第一圆柱体上下运动的范围。

根据本发明的一个实施例,所述第一圆柱体为具有中空空间的外圆柱体,所述第二圆柱体为外径与所述第一圆柱体的内径匹配的内圆柱体;

所述第一圆柱体具有上挡部和下挡部;所述第二圆柱体设置于所述第一圆柱体的中空空间中,且可相对上下运动并由所述上挡部和下挡部限制上下运动的范围;所述承载体穿过所述下挡部而与所述第二圆柱体连接。

根据本发明的一个实施例,所述转动传动机构和所述承载体均连接在所述抖动机构上,在所述抖动机构的作用下一同抖动。

根据本发明的一个实施例,所述抖动机构包括:凸轮机构、支撑台、导向结构及伺服电机;

所述转动传动机构和所述承载体均连接在所述支撑台上;所述凸轮机构连接所述支撑台;所述伺服电机控制所述凸轮机构运动,使得所述凸轮机构带动所述支撑台上下抖动。

根据本发明的一个实施例,所述导向结构为穿设于所述支撑台中的至少三根导向柱。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海思恩装备科技股份有限公司,未经上海思恩装备科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810288503.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top