[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元；以及

页缓冲器，该页缓冲器经由位线联接到所述存储器单元，其中，所述页缓冲器被配置为对所述存储器单元执行读操作，

其中，所述页缓冲器包括存储单元，该存储单元被配置为：在所述读操作期间控制位线预充电操作，并且存储第一感测操作的结果值，

其中，在所述位线预充电操作之后，在所述存储单元存储所述第一感测操作的结果值之前，存储在所述存储单元中的值被反转，

其中，所述页缓冲器还被配置为：

在所述第一感测操作之后执行位线恢复操作，并且

在所述位线恢复操作之后执行第二感测操作，

其中，所述存储单元还被配置为存储所述第二感测操作的结果值，并且

其中，在所述位线恢复操作之后，在所述存储单元存储所述第二感测操作的结果值之前，存储在所述存储单元中的值被重置。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，

其中，在所述位线恢复操作期间，基于所述第一感测操作的结果值来确定所述位线的电压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

行解码器，该行解码器经由字线联接到所述存储器单元，

其中，所述行解码器被配置为在所述第一感测操作期间将第一读电压施加到所述字线，并且在所述第二感测操作期间将第二读电压施加到所述字线，并且

其中，所述第二读电压大于所述第一读电压。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，

其中，所述页缓冲器被配置为：当所述第一感测操作的结果值为“导通单元”时，在所述位线恢复操作期间将所述位线电连接到接地节点。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，

其中，所述页缓冲器包括感测节点，

其中，所述感测节点的电压基于所述存储器单元的阈值电压而改变，并且

其中，所述感测节点被配置为在所述第一感测操作的结果值被存储之前浮置。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，

其中，所述读操作包括感测评估操作，并且

其中，在所述感测评估操作期间，所述感测节点与所述存储器装置的电源节点电断开。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，

其中，所述存储单元包括与N型MOS晶体管联接的第一输出节点，并且

其中，所述感测节点联接到所述N型MOS晶体管的栅极节点。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，

其中，所述页缓冲器包括第一晶体管，该第一晶体管被配置为控制所述存储器装置的电源节点与所述位线之间的电连接，并且

其中，所述第一输出节点联接到所述第一晶体管的栅极节点。