[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。本文呈现了一种存储器装置以及操作该存储器装置的方法。该存储器装置可包括：存储器单元；以及页缓冲器，其经由位线联接到存储器单元并且被配置为对存储器单元执行读操作。页缓冲器可包括存储单元，该存储单元被配置为在读操作期间控制位线预充电操作并且存储第一感测操作的结果值。在位线预充电操作之后，在存储单元存储第一感测操作的结果值之前，存储在存储单元中的值被反转。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置以及操作该存储器装置的方法。更具体地讲，本公开的各种实施方式涉及在存储器装置的读操作期间减小源极线噪声。

背景技术

存储器装置可包括按照组联接到多条字线的多个存储器单元。所述多个存储器单元还可通过多条位线按照集合联接到页缓冲器。各个页缓冲器可用于执行感测存储在存储器单元集合中的数据、暂时地存储数据以及输出所存储的数据的读操作。

读操作可包括一个或更多个感测操作。在读操作期间，可对联接到单条字线的一组存储器单元中的多个存储器单元同时执行感测操作。在对存储器单元的感测操作期间，可能消耗相对大量的电流。由于这种高电流消耗，可能从存储器装置的源极线生成噪声。从源极线生成的噪声偶尔会导致感测操作中的错误，因此降低存储器装置的可靠性。

发明内容

本公开的各种实施方式涉及一种具有改进的可靠性的存储器装置。本公开的另外的实施方式涉及一种操作具有改进的可靠性的存储器装置的方法。

本公开的实施方式涉及一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元；联接到存储器单元的位线；以及联接到位线的页缓冲器，其中，页缓冲器被配置为对存储器单元执行读操作。页缓冲器包括存储单元，该存储单元被配置为在读操作期间控制位线预充电操作并存储第一感测操作的结果值。在位线预充电操作之后，在存储单元存储第一感测操作的结果值之前，存储在存储单元中的值被反转。

对于实施方式，页缓冲器被配置为在第一感测操作之后执行位线恢复操作，并且在位线恢复操作期间基于第一感测操作的结果值来确定位线的电压。在另外的实施方式中，页缓冲器被配置为在位线恢复操作之后执行第二感测操作，并且存储单元被配置为存储第二感测操作的结果值。在位线恢复操作之后，在存储单元存储第二感测操作的结果值之前，存储在存储单元中的值被重置。在另外的实施方式中，该存储器装置还包括联接到存储器单元的字线以及联接到字线的行解码器。行解码器被配置为在第一感测操作期间将第一读电压施加到字线，并且在第二感测操作期间将第二读电压施加到字线，其中，第二读电压大于第一读电压。

对于另一实施方式，页缓冲器被配置为在第一感测操作之后执行位线恢复操作。另外，页缓冲器被配置为当第一感测操作的结果值为“导通单元”时，在位线恢复操作期间将位线电连接到接地节点。

对于另一实施方式，页缓冲器包括感测节点，其中，感测节点的电压基于存储器单元的阈值电压而改变，并且感测节点被配置为在存储第一感测操作的结果值之前浮置。在另外的实施方式中，读操作包括感测评估操作，并且在感测评估操作期间感测节点与存储器装置的电源节点电断开。

对于另一实施方式，存储单元包括与N型MOS晶体管联接的第一输出节点，并且感测节点联接到该N型MOS晶体管的栅极节点。在另外的实施方式中，页缓冲器包括第一晶体管，该第一晶体管被配置为控制存储器装置的电源节点与位线之间的电连接，并且第一输出节点联接到第一晶体管的栅极节点。

本公开的实施方式涉及一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；联接到存储器单元的多条位线；以及联接到位线的多个页缓冲器，其中，页缓冲器被配置为对存储器单元执行读操作。各个页缓冲器包括存储单元，该存储单元被配置为在读操作期间存储第一感测操作的结果值。各个页缓冲器还包括感测节点。感测节点被配置为在感测节点的电压根据对应存储器单元的阈值电压而改变之后浮置。此外，存储在存储单元中的值基于感测节点的改变的电压而改变。