[发明专利]一种3D NAND存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：

衬底以及形成在所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿衬底的厚度方向依次设置的若干栅极层；

若干沟道孔，形成在所述堆叠层中，所述沟道孔垂直于所述衬底；

沟道层，形成在所述沟道孔中；

若干栅线隔槽，形成在所述堆叠层中，所述栅线隔槽将所述堆叠层分割为若干堆叠层子块；

绝缘密封层，所述绝缘密封层为等离子体增强层，并至少形成在相邻两层所述栅极层邻接所述栅线隔槽的端部之间以及所述栅极层水平朝向所述栅线隔槽的侧表面，以围成第一气隙和第二气隙，所述第一气隙位于相邻两栅极层之间，所述第二气隙位于所述栅线隔槽中。

2.如权利要求1所述的3D NAND存储器，其特征在于，还包括：覆盖在所述堆叠层以及所述栅线隔槽上方的绝缘覆盖层。

3.如权利要求1所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述绝缘密封层还填充所述栅线隔槽的外围部分，所述栅线隔槽的中央部分作为所述第二气隙。

4.如权利要求1所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述绝缘密封层的材质包含氧化物。

5.如权利要求1至4中任一项所述的存储器，其特征在于，所述3D NAND存储器为浮栅型3D NAND存储器，所述存储器还包括：位于所述栅极层与沟道层之间的浮栅。

6.如权利要求1至4中任一项所述的存储器，其特征在于，所述3D NAND存储器为电荷捕获型存储器，所述存储器还包括：在所述栅极层与沟道层之间依次设置的阻挡层、电荷捕获层、隧穿层。

7.一种3D NAND存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括若干栅极层，所述栅极层沿衬底的厚度方向间隔设置；

在所述堆叠层中形成沟道孔，所述沟道孔垂直于所述衬底；

形成位于所述沟道孔内的沟道层；

在所述堆叠层中形成若干栅线隔槽，所述栅线隔槽将所述堆叠层分割为若干堆叠层子块；

经由所述栅线隔槽至少在相邻两层所述栅极层邻接栅线隔槽的端部之间以及所述栅极层水平朝向所述栅线隔槽的侧表面采用等离子体增强化学气相沉积法沉积绝缘密封层，以围成第一气隙和第二气隙，所述第一气隙位于相邻两栅极层之间，所述第二气隙位于所述栅线隔槽中。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括，在所述堆叠层以及所述栅线隔槽上方沉积绝缘覆盖层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述绝缘覆盖层，所述绝缘覆盖层为氧化物。

10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法所形成的所述绝缘密封层为氧化物。

11.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成堆叠层的步骤进一步包括：在所述衬底上沉积栅极层和牺牲层交替层叠的堆叠层；

所述制备方法还包括：经由所述栅线隔槽蚀刻所述牺牲层，以使所述牺牲层原本所在空间在形成所述绝缘密封层后形成所述第一气隙。

12.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘密封层还填充所述栅线隔槽的外围部分，所述栅线隔槽的中央部分作为第二气隙。

13.如权利要求7-12中任一项所述的制备方法，其特征在于，所制备的3D NAND存储器为浮栅型3D NAND存储器，所述制备方法还包括：

蚀刻通过所述沟道孔暴露出的所述栅极层，以在所述栅极层邻近所述沟道孔的端部形成横向沟槽；以及

在所述横向沟槽中形成浮栅。

14.如权利要求7-12中任一项所述的制备方法，其特征在于，所制备的3D NAND存储器为电荷捕获型3D NAND存储器，所述制备方法还包括：

在通过所述沟道孔暴露出的所述堆叠层侧表面依次沉积阻挡层、电荷捕获层以及隧穿层。