[发明专利]光半导体装置在审
| 申请号： | 201810289855.9 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108695399A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 村松雅治;宫﨑康人;高桥弘孝 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L33/20;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 光半导体装置 光电转换部 硼层 半导体基板 互相隔开 金属层 内面 | ||
【权利要求书】：
1.一种光半导体装置，其特征在于：
具备：
半导体基板，具有多个光电转换部并且以将所述多个光电转换部的各个互相隔开的方式形成有沟槽；
绝缘层，至少被形成于所述沟槽的内面；
硼层，被形成于所述绝缘层上；和
金属层，被形成于所述硼层上。
2.一种光半导体装置，其特征在于：
具备：
半导体基板，具有光电转换部以及信号输出部并且以隔开所述光电转换部和所述信号输出部的方式形成有沟槽；
绝缘层，至少被形成于所述沟槽的内面；
硼层，被形成于所述绝缘层上；和
金属层，被形成于所述硼层上。
3.如权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于：
所述绝缘层、所述硼层以及所述金属层到达至所述半导体基板的主面上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置，其特征在于：
所述金属层为镀层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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