[发明专利]光半导体装置

说明书

光半导体装置具备：半导体基板，具有多个光电转换部并且以互相隔开多个光电转换部的各个的方式形成有沟槽；绝缘层，至少被形成于沟槽的内面；硼层，被形成于绝缘层上；和金属层，被形成于硼层上。

技术领域

本发明涉及光半导体装置。

背景技术

众所周知有具备具有多个光电转换部的半导体基板并且以互相隔开各个光电转换部的方式将沟槽(trench)形成于该半导体基板的光半导体装置(例如，参照日本专利申请公开2003-86827号公报)。另外，众所周知有具备具有光电转换部以及信号输出部的半导体基板并且以隔开光电转换部和信号输出部的方式将沟槽形成于该半导体基板的光半导体装置(例如，参照日本专利申请公开2010-245499号公报)。

在如以上所述那样的光半导体装置中，从更加可靠地抑制入射到互相相邻的光电转换部中的一方的光电转换部的光到达另一方的光电转换部并在该另一方的光电转换部上成为噪声的观点出发或者例如从更加可靠地抑制起因于热载流子(hot carrier)现象而在信号输出部上产生的光到达光电转换部并在该光电转换部上成为噪声的观点出发，会有金属层被形成于沟槽的内面的绝缘层上的情况。但是，例如在开口的宽度窄且深的沟槽中，将金属层形成至沟槽的最深部是困难的。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种金属层可靠地被形成于沟槽的内面的绝缘层上的光半导体装置。

一个方面的光半导体装置具备：半导体基板，具有多个光电转换部并且以互相隔开多个光电转换部的各个的方式形成有沟槽；绝缘层，至少被形成于沟槽的内面；硼层，被形成于绝缘层上；金属层，被形成于硼层上。

一个方面的光半导体装置具备：半导体基板，具有光电转换部以及信号输出部并且以隔开光电转换部和信号输出部的方式形成有沟槽；绝缘层，至少被形成于沟槽的内面；硼层，被形成于绝缘层上；金属层，被形成于硼层上。

在这些光半导体装置中，金属层经由硼层而被形成于沟槽的内面的绝缘层上。该结构是基于金属层被稳定地形成于硼层上这样的本发明人们所发现的见解的结构。因此，能够获得金属层被可靠地形成于沟槽的内面的绝缘层上的光半导体装置。

一个方面的光半导体装置中，绝缘层、硼层以及金属层也可以到达半导体基板的主面上。由此，因为在半导体基板的主面上能够将金属层连接至例如接地电位，所以能够防止金属层成为电浮动的状态。

一个方面的光半导体装置中，金属层也可以是镀层。该结构是基于金属层由镀敷处理而选择性地而且各向同性地被形成于硼层上这样的本发明人们所发现的见解的结构。即，根据镀敷处理，即使是例如开口的宽度窄而且深的沟槽，金属层也经由硼层而可靠地被形成于沟槽的内面的绝缘层上。因此，能够得到金属层更加可靠地被形成于沟槽的内面的绝缘层上的光半导体装置。

根据本发明，能够提供一种金属层被可靠地形成于沟槽的内面的绝缘层上的光半导体装置。

附图说明

图1是一个实施方式的光半导体装置的平面图。

图2是沿着图1所表示的II-II线的截面图。

图3是用于说明图1所表示的光半导体装置的制造方法的截面图。

图4是用于说明图1所表示的光半导体装置的制造方法的截面图。

图5是用于说明图1所表示的光半导体装置的制造方法的截面图。

图6是用于说明图1所表示的光半导体装置的制造方法的截面图。

图7是其他实施方式的光半导体装置的一部分的截面图。

具体实施方式