[发明专利]一种镍酸镧导电薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810290054.4 | 申请日: | 2018-04-03 |
公开(公告)号: | CN108511112B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 朱明伟;刘春忠;李娜;卢天倪 | 申请(专利权)人: | 沈阳航空航天大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00;H01G4/008;H01G4/33;H01L27/115;B81B7/02;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58 |
代理公司: | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人: | 刘奇 |
地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电薄膜 镍酸镧 化学计量比 电阻率 制备方法和应用 电极材料 电学性能 化学组成 制备 应用 保证 | ||
1.一种镍酸镧导电薄膜,化学组成为LaNi1+δO3,其中,0.05≤δ≤0.10;
所述镍酸镧导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:
将La源与Ni源混合后进行压制,得到靶材前驱体;
将所述靶材前驱体进行煅烧,得到镍酸镧靶材;
采用脉冲激光沉积法将所述镍酸镧靶材进行沉积,得到薄膜前驱体;
将所述薄膜前驱体进行退火处理,得到镍酸镧导电薄膜;
所述La源与Ni源按照所述化学组成中La原子与Ni原子的摩尔比进行混合;
所述煅烧包括第一煅烧和第二煅烧;所述第一煅烧的温度为1000~1300℃,时间为20~60小时;
所述第二煅烧的温度为1200~1400℃,时间为24~72小时。
2.权利要求1所述的镍酸镧导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:
将La源与Ni源混合后进行压制,得到靶材前驱体;
将所述靶材前驱体进行煅烧,得到镍酸镧靶材;
采用脉冲激光沉积法将所述镍酸镧靶材进行沉积,得到薄膜前驱体;
将所述薄膜前驱体进行退火处理,得到镍酸镧导电薄膜;
所述La源与Ni源按照所述化学组成中La原子与Ni原子的摩尔比进行混合;
所述煅烧包括第一煅烧和第二煅烧;所述第一煅烧的温度为1000~1300℃,时间为20~60小时;
所述第二煅烧的温度为1200~1400℃,时间为24~72小时。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述La源为La2O3和/或La(OH)3;所述Ni源为NiO、Ni2O3、Ni(OH)2中的一种或几种。
4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述压制的压力为150~250MPa,压制的时间为25~35s。
5.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述脉冲激光沉积法的操作条件为:真空度≤10-5Pa,脉冲激光频率为1.0~4.0Hz,激光能量密度为1.4~1.8J/cm2,沉积温度为600~650℃,氧分压为45~55Pa,沉积时间为15~20分钟。
6.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述退火的操作条件为:氧压为0.8×105~1.2×105Pa,退火温度为600~650℃,退火时间为20~40分钟。
7.权利要求1所述的镍酸镧导电薄膜或权利要求2~6任一项所述制备方法制备得到的镍酸镧导电薄膜作为电极材料的应用。
8.如权利要求7所述的应用,其特征在于,所述镍酸镧导电薄膜作为电极材料应用于铁电存储器、薄膜电容器或微机电系统中。
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