[发明专利]无接面晶体管元件及其制造方法

权利要求书

1.一种无接面晶体管元件，包括：

一半导体基底，具有一表面；

一通道，形成在该半导体基底上，且该通道包括一第一通道，其实质平行该半导体基底的该表面并横向延伸，以及一第二通道，其实质垂直该半导体基底的该表面并垂直延伸，其中该第一通道及该第二通道在一末端相接触，且该通道具有一第一掺杂形态；

一第一源/漏极，形成在该半导体基底上，并与该第一通道接触，其中该第一源/漏极具有该第一掺杂形态；

一第二源/漏极，形成在该半导体基底上，并与该第二通道接触，其中该第二源/漏极具有该第一掺杂形态；以及

一栅极，形成在该第一通道的一上表面及该第二通道的侧表面上，该栅极具有一第二掺杂形态，其中该第二掺杂形态与该第一掺杂形态不同。

2.如权利要求1所述的无接面晶体管元件，其中该第一源/漏极的掺杂浓度、该第二源/漏极的掺杂浓度及通道的掺杂浓度实质上相同。

3.如权利要求2所述的无接面晶体管元件，其中该栅极的掺杂浓度高于该通道的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的无接面晶体管元件，其中该半导体基底另包括一掺杂井，该掺杂井位于该通道下方且具有该第二掺杂形态。

5.如权利要求4所述的无接面晶体管元件，其中该掺杂井的掺杂浓度低于该通道的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的无接面晶体管元件，另包括：

一第一电性接点，以电性连接该第一源/漏极；及

一第二电性接点，以电性连接该第二源/漏极。

7.如权利要求1所述的无接面晶体管元件，其中该栅极环绕该第二通道的多个侧表面。

8.一种无接面晶体管元件的制造方法，其步骤包括：

提供一半导体基底；

形成一半导体掺杂结构于该半导体基底上，该半导体掺杂结构具有一第一掺杂形态，且该半导体掺杂结构包括一第一掺杂结构及一第二掺杂结构，其中该第一掺杂结构实质平行该半导体基底的一表面并横向延伸，第二掺杂结构实质垂直该半导体基底的该表面并垂直延伸；以及

形成一栅极介电层及一栅极于该半导体掺杂结构上，其中该栅极具有一第二掺杂形态，且该第二掺杂形态与该第一掺杂形态不同。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中形成该半导体掺杂结构的步骤包括：

形成一掺杂区于该半导体基底中，该掺杂区具有一第一掺杂形态；

图案化该掺杂区以形成该半导体掺杂结构。

10.如权利要求8所述的制造方法，其中该栅极介电层及该栅极覆盖该第一掺杂结构的一上表面及该第二掺杂结构的侧表面，并露出一第二通道的一上表面。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中形成该栅极介电层及该栅极于该半导体掺杂结构上的步骤包括：

形成该栅极介电层于该半导体掺杂结构上方；

形成该栅极于该栅极介电层上方；

掺杂该栅极；及

移除部分该栅极与该栅极介电层，露出该第二掺杂结构的该上表面。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中形成该栅极介电层于该半导体掺杂结构上的步骤包括热成长一热氧化层。

13.如权利要求8所述的制造方法，其中该第一掺杂结构的掺杂浓度与该第二掺杂结构的掺杂浓度实质上相同。

14.如权利要求8所述的制造方法，其中该栅极的掺杂浓度高于该半导体掺杂结构的掺杂浓度。

15.如权利要求8所述的制造方法，其中该第一掺杂结构的一末端经设置为一第一源/漏极，该第二掺杂结构的一末端经设置为一第二源/漏极，该第一掺杂结构及该第二掺杂结构经设置为一通道。