[发明专利]基板搬送装置和基板搬送方法有效
申请号: | 201810291068.8 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108695206B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 樱林务;辻德彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板搬送 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板搬送装置和基板搬送方法。在向各种处理装置搬送基板的搬送装置中,维持壳体内的气氛的清洁度。大气压搬送装置具有:晶圆搬送机构,其保持并搬送晶圆;壳体,其收纳晶圆搬送机构;气体供给部,其向壳体内供给非活性气体;气体循环部,其使从壳体排出的气体返回到该壳体内;以及异物去除部,其将从壳体排出的气体中的异物去除。气体循环部具有:加湿部,其对从壳体排出的气体附加水分;过滤器,其利用该气体中的水分来吸附并去除被加湿部加湿后的气体中含有的有机物;以及除湿部,其从被过滤器去除了有机物的气体中去除水分。
技术领域
本发明涉及一种用于向基板的处理装置搬送该基板的搬送装置和搬送方法。
背景技术
以往,在半导体器件的制造工艺中,使用例如对半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行抗蚀剂涂布处理、曝光处理、显影处理等一系列的光刻处理的涂布显影处理系统、对晶圆进行蚀刻处理的蚀刻处理系统、在晶圆上形成涂布膜的成膜处理系统等各种基板处理系统。
一般地,这样的基板处理系统例如具有用于搬入搬出能够收纳多个晶圆的盒(FOUP;Front Opening Unified Pod:前开式晶圆盒)的盒站以及具备对晶圆实施规定的处理的多个各种处理装置的处理站等。另外,在盒站中设置有晶圆搬送装置,该晶圆搬送装置用于将晶圆从盒中取出后搬入到处理站,并且将结束了规定的处理的晶圆从处理站中搬出后使其返回到盒。
在晶圆搬送装置中,例如在壳体的内部利用晶圆搬送机构保持并搬送晶圆。此时,有时从壳体的内部或处理后的晶圆产生含有有机物的气体(以下称作有机气体)。该有机物例如与壳体内的气体中的水分发生反应而腐蚀壳体内的晶圆搬送机构等各种机构。并且,由于这样的有机物还对壳体外的环境产生不良影响,因此不能将含有该有机物的气体直接向壳体的外部排出。因此,以往,在壳体内实施具有耐腐蚀性的涂敷来保护各种机构,并且在使用例如专利文献1所公开的那样的化学过滤器将壳体内的气体中的有机物去除之后将该气体排出到外部。
另一方面,在专利文献2中公开了将晶圆搬送装置的内部设为氮气气氛。具体地说,从设置于晶圆搬送装置的壳体上部的风机过滤单元(FFU;Fan Filter Unit)供给不含有水分的清洁度高的氮气。在该情况下,虽然仍然从壳体的内部或处理后的晶圆产生有机气体,但由于装置内充满氮气,因此有机物不与水分发生反应,从而能够抑制腐蚀各种机构等不良影响。
专利文献1:日本特开平10-230117号公报
专利文献2:日本特开2017-28110号公报
发明内容
然而,在如上述那样对晶圆搬送装置的壳体内进行涂敷的情况下,由于该具有耐腐食性的涂敷价格高,因此耗费装置成本,并且维护成本也变高。
另外,即使在如上述的专利文献2所公开的那样将晶圆搬送装置的壳体内维持为氮气气氛的情况下,也从壳体的内部产生有机气体,并且从被连续搬送的处理后的晶圆也产生有机气体,因此在氮气气氛中,有机气体的浓度增加。于是,例如当在维护晶圆搬送装置时将内部置换为清洁空气或向大气开放时,有机物还是与水分发生反应,导致对壳体内产生不良影响。
并且,在如专利文献2所公开的那样将壳体内设为氮气气氛的情况下,即使想要利用化学过滤器来去除有机气体中含有的有机物,但由于氮气不含有水分,因此无法适当地吸附并去除该有机物。
因而,在晶圆搬送装置的内部去除有机物来保持清洁度这方面具有改善的余地。
本发明是鉴于上述情形而完成的,其目的在于在向各种处理装置搬送基板的搬送装置中维持壳体内的气氛的清洁度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造