[发明专利]LCP基挠性覆铜板的制造方法及其制品

权利要求书

1.一种制造LCP基挠性覆铜板的方法，包括：

提供LCP基材并对所述LCP基材进行霍尔离子源前处理以清洗所述LCP基材的表面；

通过离子注入在所述LCP基材上注入第一金属离子，以在所述LCP基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；

对经过离子注入的所述LCP基材进行等离子体沉积，以在所述离子注入层上沉积第二金属离子来形成等离子体沉积层；

进行磁控溅射沉积以在所述等离子体沉积层上沉积铜离子来形成磁控溅射沉积层；以及

在所述磁控溅射沉积层上镀覆加厚铜层以制得所述LCP基挠性覆铜板；

其中，在制造所述LCP基挠性覆铜板的过程中，控制所述LCP基材温度始终低于200°C。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LCP基挠性覆铜板的铜箔与LCP基材的剥离强度大于或等于0.5N/mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LCP基挠性覆铜板的双面铜箔厚度公差不超过4.3μm而单面铜箔厚度公差不超过3.4μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述霍尔离子源前处理包括使用真空加热管加热的方式，将霍尔源腔室内的温度加热至40°C~120°C。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当将所述霍尔源腔室内的温度加热至40°~70°C时，设置处理电压为1500V~2000V、处理电流为1.5V~2V，以及处理时间为20min~30min。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当将所述霍尔源腔室内的温度加热至70°C~100°C时，设置处理电压为1000V~1500V、处理电流为1A~1.5A，以及处理时间为10min~20min。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当将所述霍尔源腔室内的温度加热至100°C~120°C时，设置处理电压为500V~1000V、处理电流为0.04A~1A，以及处理时间为30s~10min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述霍尔离子源前处理包括通过控制所述霍尔离子源的参数，将所述LCP基材的温度控制在40°C~80°C的范围。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，设置处理电压为1500V~2000V、处理电流为1.5A~2A，以及处理时间为30s~20min，将所述LCP基材控制在40°C~80°C的范围。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，设置处理电压为1000V~1500V、处理电流为1A~1.5A，以及处理时间为10s~20min，将所述LCP基材控制在40°C~80°C的范围。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，设置处理电压为500V~1000V、处理电流为0.04A~1A，以及处理时间为20s~30min，将所述LCP基材控制在40°C~80°C的范围。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述霍尔离子源的工作气体有氩气、氮气、氢气、氧气、二氧化碳，以及由它们的组合构成的混合气体。

13.根据权利要求4或8所述的方法，其特征在于，所述霍尔离子源的工作气体包括氧气以通过所述氧气在所述LCP基材的表面上的化学反应清除在清洗过程中产生的残留杂质。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在离子注入时，设置离子注入电压为10kV~20kV，离子注入电流为1mA~4mA，注入时间为40s~3min。