[发明专利]显影方法、显影装置和存储介质

说明书

本发明提供一种对显影的显影方法、显影装置和存储介质，其进行以下步骤：在停止从在显影液喷嘴(31)的相对面(32)向下方开口的排出口(33)排出显影液的状态下，使显影液喷嘴(31)相对于基片(W)的表面上升，利用该显影液的表面张力，将排出口(33)下方的一部分积液提起的步骤；使显影液喷嘴(31)的上升停止，由提起了的该一部分积液形成上端与相对面接触(32)并且随着向该上端去逐渐变细的显影液柱的步骤；和对显影液柱施加剪切力来将该显影液柱的上端剪断，使显影液柱从相对面(32)分离的分离步骤。由此，能够防止显影液从与形成于该基片的显影液的积液接触的显影液喷嘴落下到基片上而发生异常。

技术领域

本发明涉及对用于制造半导体器件的基片进行显影的技术。

背景技术

半导体器件的制造工艺的光刻中，在作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)的表面形成抗蚀剂膜后，进行该抗蚀剂膜的曝光。该曝光通过使沿着电路图案开口的掩模相对于晶片的表面相对移动并且隔着该掩模间歇地对晶片照射光而进行。曝光后向晶片供给显影液，形成抗蚀剂图案。

但是，伴随抗蚀剂图案的尺寸即CD(Critical Dimension：临界尺寸)的精细化不断发展，要求提高晶片的面内的各部中的CD的均匀性。于是，具有以下方法，即：以具有与晶片的表面相对的相对面和在该相对面向晶片的表面开口的排出口的方式构成显影液喷嘴，在使由于显影液的排出而形成的积液与相对面接触的状态下，使显影液喷嘴沿旋转的晶片的表面移动，以使积液扩展到晶片的整个面，来进行显影。根据该方法，由于与积液接触的显影液喷嘴的移动和晶片的旋转，显影液流动，在被搅拌的状态下扩散，因此能够提高显影液的浓度的均匀性，能够实现CD的均匀性的提高。专利文献1中记载有这样的显影方法。

然而，上述的显影液喷嘴使显影液的积液扩展到晶片的表面后，为了从晶片表面退避而上升，从积液离开，但是，有可能成为在相对面附着有构成积液的显影液的液滴的状态。之后，该液滴落下到晶片的表面，从而有可能导致CD的均匀性的降低，或成为显影缺陷的原因。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-29703号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于防止显影液从显影液喷嘴落下到基片而引起的异常的发生，其中，为了对抗蚀剂膜形成并曝光后的半导体器件的制造用的基片进行显影，显影液喷嘴与形成于该基片的显影液的积液接触的显影液喷嘴。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的显影方法，其特征在于，包括：水平地保持用于制造半导体器件的基片的步骤，上述基片在表面形成有抗蚀剂膜且已被曝光；在上述基片的表面的中心部和周缘部中的一者的上方，配置构成显影液喷嘴的与上述基片的表面的一部分相对的相对面的步骤；从在上述相对面向下方开口的排出口排出显影液，形成与该相对面接触的显影液的积液的步骤；以上述相对面与上述积液接触的状态，使上述显影液喷嘴沿旋转的上述基片的表面移动到该基片的中心部和周缘部中的另一者，使该积液扩展的步骤；在停止从上述排出口排出显影液的状态下，使上述显影液喷嘴相对于上述基片的表面相对地上升，利用上述显影液的表面张力，将上述排出口的下方的上述积液的一部分提起的步骤；使上述显影液喷嘴的上升停止，由提起了的上述积液的一部分形成显影液柱的步骤，其中，上述显影液柱具有向上逐渐变细的上端，该上端与上述相对面接触；和对上述显影液柱施加剪切力来将该显影液柱的上端剪断，使上述显影液柱从上述相对面分离的分离步骤。