[发明专利]阵列基板、其制备方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201810294475.4 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108509082B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 段岑鸿;史大为;王凤国;李峰;刘弘;武新国;杨璐;王文涛;王子峰;马波;李元博;郭志轩;赵晶;梁海琴 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;王卫忠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

第一极层以及第二极层,所述第一极层设于衬底基板之上,所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧,所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能;

平坦化层,设于所述第二极层之上,具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔;

第一裸露部,位于所述第一极层上与所述第一触控电极接触孔对应的位置;

触控电极,设于所述平坦化层之上,所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接;

所述阵列基板还包括:

第二裸露部,位于所述第一极层上与所述第一像素电极接触孔对应的位置;

触控电极块,设于所述第二裸露部之上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:

第一钝化层,设于所述触控电极与所述平坦化层之间,且覆盖所述第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔的孔内侧壁,所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔,所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积,所述第二像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:

第二钝化层,设于所述触控电极之上。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:

像素电极,设于所述第二钝化层之上,所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

6.一种显示装置,其特征在于,包括:

权利要求1~5任意一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成第一极层以及第二极层,所述第一极层设于所述衬底基板之上,所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧,所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能;

在所述第二极层之上形成平坦化层,所述平坦化层上具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔;

去除与所述第一触控电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层上的第一裸露部;

在所述平坦化层之上形成触控电极,所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接;

在去除与所述第一触控电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层上的第一裸露部的同一次构图工艺中,所述制备方法还包括:

去除所述第一像素电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层形成第二裸露部;

在形成所述触控电极的同一次构图工艺中,所述制备方法还包括:

在所述第二裸露部之上形成触控电极块。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在形成所述触控电极之前,所述制备方法还包括:

在所述平坦化层之上形成第一钝化层,所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔,所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:

在所述触控电极之上形成第二钝化层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:

在所述第二钝化层之上形成像素电极,所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

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