[发明专利]阵列基板、其制备方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201810294475.4 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108509082B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 段岑鸿;史大为;王凤国;李峰;刘弘;武新国;杨璐;王文涛;王子峰;马波;李元博;郭志轩;赵晶;梁海琴 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;王卫忠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示装置
【说明书】:

本公开涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板、第一极层、第二极层、平坦化层、第一裸露部以及触控电极;第一极层设于衬底基板之上,第二极层位于第一极层的远离衬底基板的一侧,第一极层的导电性能优于第二极层的导电性能;平坦化层设于第二极层之上,具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔;第一裸露部位于第一极层上与第一触控电极接触孔对应的位置;触控电极设于平坦化层之上,触控电极通过第一触控电极接触孔与第一裸露部连接。该阵列基板的触控电极与漏极之间的接触电阻较小,能够有效避免卡顿、触控不良等现象。

技术领域

本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和安装有该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展,触控屏技术进入快速发展时期。完全内嵌式触控屏由于其分辨率较高,得到很快的发展。

目前,完全内嵌式触控屏就是将触控金属线布局在薄膜晶体管内部,触控电极与漏极搭接。在显示阶段,触控电极与像素电极形成电容,起到显示作用;在触控阶段,触控电极起到触控作用。但是,现有技术中的触控屏容易出现卡顿、触控不良等现象。

因此,有必要研究一种阵列基板、阵列基板的制备方法和安装有该阵列基板的显示装置。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的卡顿、触控不良,提供一种接触电阻较小的阵列基板、阵列基板的制备方法和安装有该阵列基板的显示装置。

根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板,包括:

第一极层以及第二极层,所述第一极层设于衬底基板之上,所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧,所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能;

平坦化层,设于所述第二极层之上,具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔;

第一裸露部,位于所述第一极层上与所述第一触控电极接触孔对应的位置;

触控电极,设于所述平坦化层之上,所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

第一钝化层,设于所述触控电极与所述平坦化层之间,且覆盖所述第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔的孔内侧壁,所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔,所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

在本公开的一种示例性实施例中,所述第二触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积,所述第二像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

第二裸露部,位于所述第一极层上与所述第一像素电极接触孔对应的位置。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

触控电极块,设于所述第二裸露部之上。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

第二钝化层,设于所述触控电极之上。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

像素电极,设于所述第二钝化层之上,所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

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