[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201810295154.6 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108695367A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 文重守;郭源奎;金光民;金起旭;金东秀;朴贤爱;李知恩;陈昌奎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;张逍遥 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机材料层 内部导线 外部导线 显示装置 基底 通孔 连接线 第二区域 第一区域 弯曲区域 上表面 覆盖 穿过 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,在所述基底上限定有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯曲区域,其中,所述基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;
多条内部导线,在所述第一区域中位于所述基底上;
多条外部导线,在所述第二区域中位于所述基底上;
有机材料层,覆盖所述弯曲区域并且覆盖所述多条内部导线的至少一部分以及所述多条外部导线的至少一部分;以及
多条连接线,位于所述有机材料层上并且分别将所述多条内部导线连接到所述多条外部导线,
其中,穿过所述有机材料层限定多个有机通孔,
其中,所述多条连接线分别通过所述多个有机通孔连接到所述多条内部导线,
其中,所述多个有机通孔包括在所述第一方向上布置的多个第一有机通孔,并且
其中,布置在所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多条连接线中的每条连接线的一部分位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层上,并且
所述多条连接线延伸跨过所述弯曲区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条连接线中的每条连接线的位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层上的部分在所述第一方向上弯曲,以对应于所述有机材料层的所述上表面的所述形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条连接线的延伸百分比大于所述多条内部导线的延伸百分比和所述多条外部导线的延伸百分比。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条内部导线包括:
多条第一内部导线;以及
多条第二内部导线,与所述多条第一内部导线位于不同的层中,
其中,绝缘层位于所述多条第一内部导线与所述多条第二内部导线之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多条第一内部导线和所述多条第二内部导线彼此交替地布置。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多条外部导线包括:
多条第一外部导线;以及
多条第二外部导线,与所述多条第一外部导线位于不同的层中,
其中,绝缘层位于所述多条第一外部导线与所述多条第二外部导线之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极,
其中,所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一些与所述栅电极包括相同的材料并与所述栅电极位于同一层中。
9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
薄膜晶体管,位于所述第一区域或所述第二区域中,其中,所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极;
第二栅极绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管;以及
存储电容器,包括与所述栅电极位于同一层中的第一存储电容器板和位于所述第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板,
其中,所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一些包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料并且与所述第二存储电容器板位于同一层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的