[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201810295154.6 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108695367A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 文重守;郭源奎;金光民;金起旭;金东秀;朴贤爱;李知恩;陈昌奎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;张逍遥 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机材料层 内部导线 外部导线 显示装置 基底 通孔 连接线 第二区域 第一区域 弯曲区域 上表面 覆盖 穿过 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底,具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域;内部导线,在第一区域中位于基底上;外部导线,在第二区域中位于基底上;有机材料层,覆盖弯曲区域并且覆盖内部导线和外部导线的至少一部分;以及连接线,位于有机材料层上并且分别将内部导线连接到外部导线。穿过有机材料层限定有机通孔,连接线分别通过有机通孔连接到内部导线,位于有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。
本申请要求于2017年3月31日提交的第10-2017-0041932号韩国专利申请的优先权和全部权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种减少其中出现缺陷(诸如断裂的布线)的显示装置。
背景技术
显示装置是用于在视觉上显示与施加到显示装置的图像数据对应的图像的装置。显示装置包括被划分为显示区域和非显示区域的基底。在显示区域中,栅极线和数据线彼此绝缘,并且多个像素区域由栅极线和数据线的交叉限定。此外,在显示区域中,薄膜晶体管(“TFT”)和电连接到TFT的像素电极被设置为与像素区域对应。在非显示区域中,布置有用于将电信号传输到显示区域的各种导线。
显示装置的至少一部分可以被弯曲以提高各个角度的可视性或减小非显示区域的尺寸。正在开发用于在呈弯曲形状的显示装置的制造工艺期间减少缺陷并节约成本的各种技术。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种可以减小显示装置中的导线之间的间隔并且可以减少诸如导线的短路的缺陷的出现的显示装置。
根据一个或更多个实施例,显示装置包括:基底,在基底上限定有第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域,其中,基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;多条内部导线,在第一区域中位于基底上;多条外部导线,在第二区域中位于基底上;有机材料层,覆盖弯曲区域并且覆盖多条内部导线以及多条外部导线的至少一部分;以及多条连接线,位于有机材料层上并且分别将多条内部导线连接到多条外部导线。在这样的实施例中,穿过有机材料层限定多个有机通孔,多条连接线分别通过多个有机通孔连接到多条内部导线,多个有机通孔包括在第一方向上布置的多个第一有机通孔,布置在多个第一有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。
在实施例中,多条连接线中的每条连接线的一部分可以位于多个第一有机通孔之间的有机材料层上,多条连接线可以延伸跨过弯曲区域。
在实施例中,多条连接线中的每条连接线的位于多个第一有机通孔之间的有机材料层上的部分可以在第一方向上弯曲以对应于有机材料层的上表面的形状。
在实施例中,多条连接线的延伸百分比可以大于多条内部导线的延伸百分比和多条外部导线的延伸百分比。
在实施例中,多条内部导线可以包括:多条第一内部导线;以及多条第二内部导线,与多条第一内部导线位于不同的层中,其中,绝缘层可以位于多条第一内部导线与多条第二内部导线之间。
在实施例中,多条第一内部导线和多条第二内部导线可以彼此交替地布置。
在实施例中,多条外部导线可以包括:多条第一外部导线;以及多条第二外部导线,与多条第一外部导线位于不同的层中,并且绝缘层可以位于多条第一外部导线与多条第二外部导线之间。
在实施例中,显示装置还可以包括:薄膜晶体管,位于第一区域或第二区域中,其中,薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极。在这样的实施例中,多条内部导线和多条外部导线中的至少一些可以与栅电极包括相同的材料并可以与栅电极位于同一层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的