[发明专利]一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路

权利要求书

1.一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，包括依次连接的：电源检测锁存部分、反相延时部分以及与非门部分；

所述电源检测锁存部分包括：PMOS管M101、分压器件、NMOS管M103、PMOS管M104、PMOS管M105、NMOS管M106以及电容C107，所述PMOS管M105与所述NMOS管M106的栅极相互连接作为第一节点，漏极相互连接作为第二节点；

所述PMOS管M101的漏极、所述PMOS管M104的漏极以及所述电容C107的一端分别连接所述第一节点，所述NMOS管M103的漏极通过所述分压器件连接所述第一节点，所述NMOS管M103的栅极连接所述与非门部分，所述PMOS管M101的栅极接地，所述PMOS管M104的栅极连接所述第二节点，所述第一节点还连接所述与非门，所述第二节点连接所述反相延时部分。

2.根据权利要求1所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述分压器件包括电阻R102或者栅极接电源VDD的NMOS管。

3.根据权利要求1所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述电容C107的另一端接地VSS。

4.根据权利要求1所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述反相延时部分包括：PMOS管M108、NMOS管M109以及电容C110，所述PMOS管M108与所述NMOS管M109的栅极相互连接作为第三节点，漏极相互连接作为第四节点，所述第三节点与所述第二节点连接，所述第四节点与所述与非门部分连接，所述电容C110的一端连接所述第四节点。

5.根据权利要求4所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述电容C110的另一端接地VSS。

6.根据权利要求4所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述与非门部分包括：PMOS管M111、PMOS管M112、NMOS管M113以及NMOS管M114，所述PMOS管M112与所述NMOS管M113的栅极相互连接作为第五节点，漏极相互连接作为第六节点，所述第五节点与所述第四节点连接，所述第六节点与所述NMOS管M103的栅极连接，所述PMOS管M111与所述NMOS管M114的栅极相互连接并与所述第一节点连接，所述PMOS管M111的漏极连接所述第六节点，所述NMOS管M114的漏极连接所述NMOS管M113的源极。

7.根据权利要求6所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，还包括反相器，连接在所述第六节点。

8.根据权利要求7所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述反相器包括：PMOS管M115、NMOS管M116以及输出POR117，所述PMOS管M115与所述NMOS管M116的栅极相互连接并与所述第六节点连接，漏极相互连接并与所述输出POR117连接。

9.根据权利要求8所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述PMOS管M101、所述PMOS管M104、所述PMOS管M105、所述PMOS管M108、所述PMOS管M111、所述PMOS管M112以及所述PMOS管M115的源极接电源VDD。

10.根据权利要求8所述的纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，所述NMOS管M103、所述NMOS管M106、所述NMOS管M109、所述NMOS管M114以及所述NMOS管M116的源极接地VSS。