[发明专利]一种提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法在审
申请号: | 201810299151.X | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108456706A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 周兵兵;黄凤珠;陆雨丹;王为民;陶英 | 申请(专利权)人: | 丽珠集团福州福兴医药有限公司 |
主分类号: | C12P19/48 | 分类号: | C12P19/48;C12R1/29 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
地址: | 350300 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 小单孢菌 庆大霉素 斜面孢子 发芽率 工业微生物 培养基配方 发酵培养 发酵效价 分离纯化 斜面培养 种子菌丝 种子培养 生长 成球 贮藏 冷冻 改进 新鲜 | ||
1.一种提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将小单孢菌种接种至分离纯化培养基中,培养13d,得到直径为4-6mm,高度为3-4mm的小单孢菌单菌落;所述分离纯化培养基由以下配方配置而成:
可溶性淀粉7.0-8.0g/L;氯化钠0.3-0.7g/L;磷酸二氢钾0.2-0.4g/L;硝酸钠0.8-1.2g/L;碳酸钙0.8-1.2g/L;琼脂粉15-19g/L;
步骤2:将分离纯化培养得到的小单孢菌单菌落接种至斜面培养基,培养11d,得到新鲜的斜面孢子;所述斜面培养基由以下配方配置而成:
可溶性淀粉7.0-8.0g/L;氯化钠0.3-0.7g/L;磷酸二氢钾0.2-0.4g/L;硝酸钠0.8-1.2g/L;碳酸钙0.8-1.2g/L;琼脂粉15-19g/L;
步骤3:对步骤2中制得的新鲜的斜面孢子进行冷藏,所述冷藏的温度为4℃,所述冷藏的时间为20-40d;
步骤4:将经过冷藏的斜面孢子接种至种子培养基,培养40h,得到第一菌液;所述种子培养基由以下配方配置而成:
玉米淀粉8.0-12.0g/L;硝酸钠0.3-0.7g/L;黄豆饼粉8.0-12.0g/L;大豆蛋白胨1.0-3.0g/L;葡萄糖0.8-1.2g/L;碳酸钙5.0-7.0g/L;
步骤5:将经过种子培养基培养制得的第一菌液接种至发酵培养基,培养120h,得到第二菌液,所述第二菌液为提高庆大霉素产量的小单孢菌;所述发酵培养基由以下配方配置而成:
玉米淀粉53.0-57.0g/L;硝酸钠0.8-1.2g/L;黄豆饼粉33.0-37.0g/L;大豆蛋白胨6.3-6.7g/L;葡萄糖0.8-1.2g/L;碳酸钙6.3-6.7g/L。
2.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述步骤3中,所述冷藏的时间为30d。
3.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述步骤2中的斜面培养基培养温度为36.9℃,pH值为7.1。
4.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述步骤1中,分离纯化培养基的培养温度为36.9℃,pH值为7.1。
5.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述步骤4中,种子培养基的培养温度为34.5℃,pH值为7.1,培养转速为220rpm。
6.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述步骤5中,发酵培养基的培养温度为34.5℃,所述发酵培养基的pH值为7.1,培养转速为220rpm。
7.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述斜面培养基由以下配方配置而成:
可溶性淀粉7.5g/L;氯化钠0.5g/L;磷酸二氢钾0.3g/L;硝酸钠1.0g/L;碳酸钙1.0g/L;琼脂粉17g/L。
8.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述种子培养基由以下配方配置而成:
玉米淀粉10.0g/L;硝酸钠0.5g/L;黄豆饼粉10.0g/L;大豆蛋白胨2.0g/L;葡萄糖1.0g/L;碳酸钙6.0g/L。
9.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,所述发酵培养基由以下配方配置而成:
玉米淀粉55.0g/L;硝酸钠1.0g/L;黄豆饼粉35.0g/L;大豆蛋白胨6.5g/L;葡萄糖1.0g/L;碳酸钙6.5g/L。
10.根据权利要求1所述的提高庆大霉素产量的小单孢菌培养方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将小单孢菌种接种至分离纯化培养基中,培养13d,得到直径为4-6mm,高度为3-4mm的小单孢菌单菌落;所述分离纯化培养基由以下配方配置而成:
可溶性淀粉7.5g/L;氯化钠0.5g/L;磷酸二氢钾0.3g/L;硝酸钠1.0g/L;碳酸钙1.0g/L;琼脂粉17g/L;
所述斜面培养基培养温度为36.9℃,pH值为7.1;
步骤2:将分离纯化培养得到的小单孢菌单菌落接种至斜面培养基,培养11d,得到第一菌落;所述斜面培养基由以下配方配置而成:
可溶性淀粉7.5g/L;氯化钠0.5g/L;磷酸二氢钾0.3g/L;硝酸钠1.0g/L;碳酸钙1.0g/L;琼脂粉17g/L;
步骤3:对步骤:2中制得的新鲜的斜面孢子进行冷藏,所述冷藏的温度为4℃,所述冷藏的时间为30d;
步骤4:将经过斜面培养基培养制得的第一菌落接种至种子培养基,培养40h,得到第一菌液;所述种子培养基由以下配方配置而成:
玉米淀粉10.0g/L;硝酸钠0.5g/L;黄豆饼粉10.0g/L;大豆蛋白胨2.0g/L;葡萄糖1.0g/L;碳酸钙6.0g/L;
所述种子培养基的培养温度为34.5℃,pH值为7.1,培养转速为220rpm;
步骤5:将经过种子培养基培养制得的第一菌液接种至发酵培养基,培养120h,得到第二菌液,所述第二菌液为提高庆大霉素产量的小单孢菌;;所述发酵培养基由以下配方配置而成:
玉米淀粉55.0g/L;硝酸钠1.0g/L;黄豆饼粉35.0g/L;大豆蛋白胨6.5g/L;葡萄糖1.0g/L;碳酸钙6.5g/L;
所述发酵培养基的培养温度为34.5℃,所述发酵培养基的pH值为7.1,培养转速为220rpm。
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