[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个下电极，在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上布置在半导体衬底上；以及

支撑物，接触所述多个下电极，所述支撑物呈平面形状并且具有四个边缘，所述支撑物包括分别用于所述多个下电极的开放部分的多个敞开区域，

其中，在所述四个边缘之中，在所述第一方向上彼此面对的两个边缘成直线，并且在所述第二方向上彼此面对的两个边缘成波形。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述多个下电极布置成蜂巢结构，

所述多个下电极之中的六个下电极中的每个在六边形的对应顶点处，并且所述多个下电极中的一个在所述六边形的中心点处，所述多个下电极之中的所述六个下电极和所述多个下电极中的所述一个形成六边形结构，

所述多个下电极之中的所述六个下电极中的每个在六个不同六边形结构中的每个的对应中心点处，以及

所述多个下电极中的所述一个是所述多个下电极中的在所述六个不同六边形结构中的每个的对应顶点处的一个，所述六个不同六边形结构共用所述多个下电极中的所述一个。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述两个边缘的所述波形中的每个具有恒定的重复周期，并且所述两个边缘的所述波形具有相反的相位。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述敞开区域中的每个暴露所述多个下电极之中的三个相邻下电极中的每个的一部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑物形成为一体，并且所述多个下电极之中的形成在所述四个边缘的周边的下电极是虚设结构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述虚设结构不对称地布置在沿所述第一方向彼此面对的两个边缘的周边。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述虚设结构不接触所述多个敞开区域。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述波形中的每个的曲率半径大于所述敞开区域中的每个的曲率半径。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述敞开区域中的每个的曲率半径大于所述多个下电极中的每个的曲率半径。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中连接所述多个下电极的在所述第一方向上布置的中心的虚拟线是直线，并且连接所述多个下电极的在所述第二方向上布置的中心的虚拟线是Z字形线。

11.一种半导体器件，包括：

多个下电极，在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上布置在半导体衬底上；以及

支撑物，接触所述多个下电极，所述支撑物呈平面形状并且具有四个边缘，所述支撑物包括分别用于所述多个下电极的开放部分的多个敞开区域，

其中所述多个下电极之中的形成在所述四个边缘的周边中的下电极是虚设结构，并且所述虚设结构不接触所述多个敞开区域。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述虚设结构不对称地布置在沿所述第一方向彼此面对的两个边缘的周边中。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中布置在沿所述第一方向彼此面对的所述两个边缘中的一个的周边中的虚设结构在所述第二方向上布置成两行，并且布置在沿所述第一方向彼此面对的所述两个边缘中的另一个的周边中的虚设结构在所述第二方向上布置成一行。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，在所述四个边缘之中，在所述第二方向上彼此面对的两个边缘成波形，并且所述波形中的每个的曲率半径大于所述敞开区域中的每个的曲率半径。