[发明专利]微芯片的嵌入装置及其嵌入方法

说明书

一种微芯片的嵌入装置及其嵌入方法，其中，微芯片的嵌入装置包括：溶液腔室，用于盛载溶液，所述溶液用于浸没基底；位于溶液腔室底部的高度调整装置，用于调整基底的运动基准面，所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角；运动控制装置，用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动，所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动，所述第一运动具有第一速率，所述第二运动具有第二速率，且所述第一速率大于第二速率。利用所述微芯片的嵌入装置对微芯片的嵌入效率较高。

技术领域

本发明涉及自封装领域，尤其涉及微芯片的嵌入装置及其嵌入方法。

背景技术

随着半导体制程越来越先进，芯片尺寸也越来越小，单张硅片的微芯片数目也越来越多，因此每张硅片封装所需要的成本和时间也在上升。如此小的微芯片在后段的封装对于微芯片的封装也提出了更高要求，流体自封装(Fluidic self assembly,简写FSA)工艺技术正是在此环境下应允而发。流体自封装工艺技术，是将直径尺寸为800微米以下的微型芯片悬浮于溶液并通过控制溶液使得微芯片流到目标衬底上(玻璃或其他柔性衬底)，并自动嵌入该衬底预先加工好的安放孔上，完成微小型芯片的自封装。

然而，采用现有技术流体自封装技术，微芯片的嵌入效率较低。

发明内容

本发明解决的技术问题是一种微芯片的嵌入装置及其嵌入方法，以提高微芯片的嵌入效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种微芯片的嵌入装置，包括：溶液腔室，用于盛载溶液，所述溶液用于浸没基底；位于所述溶液腔室底部的高度调整装置，用于调整基底的运动基准面，所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角；运动控制装置，用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动，所述运动包括第一运动和第二运动，所述第一运动具有第一速率，所述第二运动具有第二速率，且所述第一速率大于第二速率。

可选的，所述溶液用于悬浮微芯片；所述基底内具有沟槽，且所述沟槽的形状与微芯片的形状互补；所述嵌入装置还包括：位于所述溶液腔室内侧壁的超声波装置，用于驱动微芯片在溶液内作旋转运动。

可选的，所述超声波装置的个数为1个或者1个以上。

可选的，所述嵌入装置还包括：位于所述溶液腔室内侧壁的温控装置，用于控制所述溶液的温度。

可选的，所述温控装置的个数为1个或者1个以上。

可选的，所述温控装置包括：温度传感器、电路控制继电器和温控设备；所述温控设备的调温范围为：0摄氏度～100摄氏度。

可选的，所述夹角的范围为：0度～80度。

本发明还提供一种微芯片的嵌入方法，包括：提供微芯片；提供基底，所述基底内具有沟槽，所述沟槽的形状与微芯片的形状互补；提供上述微芯片的嵌入装置，将所述基底浸没于溶液内；将所述微芯片投放入溶液腔室内，微芯片悬浮于溶液内；开启运动控制装置，使所述基底沿平行于运动基准面，使微芯片嵌入沟槽内。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明技术方案提供的微芯片的嵌入方法中，运动控制装置用于控制所述基底沿平行于运动基准面进行运动，所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动。其中，所述第一运动的第一速率较大，有利于缩减微芯片移动至沟槽周围的时间。所述第一运动之后，进行第二运动，所述第二运动的第二速率较小，能够为微芯片提供足够的时间来调整自身的位置，使微芯片能够与沟槽进行完全匹配。利用所述嵌入装置对微芯片的嵌入效率较高。

进一步，所述嵌入装置还包括位于所述溶液腔室内侧壁的温控装置，所述温控装置用于控制溶液的温度，使得各处溶液的温度差异性较小，因此，有利于进一步提高微芯片的嵌入效率。