[发明专利]一种套刻对准的检测方法有效
申请号: | 201810302059.4 | 申请日: | 2018-04-04 |
公开(公告)号: | CN110349874B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 柏耸;陈可;宋涛;沈满华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对准 检测 方法 | ||
1.一种套刻对准的检测方法,其特征在于,所述方法包括:
提供第一膜层,在所述第一膜层中形成有若干间隔设置的参照图案;
在所述第一膜层上对准地形成第二膜层并获取对准偏差数值,在所述第二膜层上形成有开口,以相对于所述开口的中心轴对称地露出部分所述参照图案;
以所述第二膜层为掩膜蚀刻所述参照图案,以去除露出的所述参照图案;
去除所述第二膜层;
获取剩余的所述参照图案的信号不对称值;
根据所述信号不对称值判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,获取剩余的所述参照图案的信号不对称值的方法包括:
对剩余的所述参照图案进行照射并收集反射光信号的强度和位置,以得到处理前信号不对称值;
对所述反射光信号的强度和位置求导处理,以得到处理后信号不对称值;
计算所述处理前信号不对称值和所述处理后信号不对称值的差值,以得到所述信号不对称值。
3.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准的方法包括:
当所述信号不对称值为零时,则所述第一膜层和所述第二膜层完全对准。
4.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准的方法包括:
以所述对准偏差数值为横坐标,以所述信号不对称值为纵坐标建立坐标系,以得到点状图;
若所述点状图相对于坐标原点对称,则判断所述第一膜层和所述第二膜层对准;
若所述点状图相对于所述坐标原点不对称,则判断所述第一膜层和所述第二膜层没有对准。
5.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,若所述点状图相对于所述坐标原点不对称,则根据所述点状图的实际对称点和所述坐标原点的关系修正所述第二膜层中的对准值,以使所述点状图的实际对称点和所述坐标原点重合。
6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,在所述第一膜层上形成有第一对准标记,在所述第二膜层上形成有第二对准标记,通过将所述第一对准标记和所述第二对准标记对准以实现所述第一膜层和所述第二膜层的对准。
7.根据权利要求6所述的检测方法,其特征在于,修正所述第二膜层中的对准值之后,还包括:
在第二膜层中形成修正的第二对准标记。
8.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,获取对准偏差数值的方法包括:
将所述第一膜层和所述第二膜层对准之后,检查所述第一膜层和所述第二膜层中需要对准的图案之间发生偏移的数值,以得到所述对准偏差数值。
9.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,当所述第一膜层和所述第二膜层的所述对准偏差数值为零时,剩余的所述参照图案仍是对称的,当所述第一膜层和所述第二膜层的所述对准偏差数值不为零时,剩余的所述参照图案是不对称的。
10.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,每个所述参照图案为若干套刻图形组合形成的阵列;
所述参照图案在基底上投影图案为方形、梯形、三角形和圆形中的任一种。
11.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述第二膜层包括依次形成的抗反射层和光刻胶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造