[发明专利]一种套刻对准的检测方法

说明书

本发明提供了一种套刻对准的检测方法。所述方法包括：提供第一膜层，在所述第一膜层中形成有若干间隔设置的参照图案；在第一膜层上对准地形成第二膜层并获取对准偏差数值，在所述第二膜层上形成有开口，以相对于所述开口的中心轴对称地露出部分所述参照图案；以所述第二膜层为掩膜蚀刻所述参照图案，以去除露出的所述参照图案；去除所述第二膜层；获取剩余的所述参照图案的信号不对称值；根据所述信号不对称值判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准。本发明提供了一种套刻对准的检测方法，所述方法可以对所述第一膜层和第二膜层之间是否对准进行准确的判断，以确保第一膜层和第二膜层之间完全对准，避免由对准偏差导致器件的性能和良率下降。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种套刻对准的检测方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimension，CD)，随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

在半导体器件的制备过程中通常需要形成上下叠层的多个膜层，并在相应的膜层中形成各种元件，其中上下叠层的膜层中当层和前层需要对准，以便在当层中形成的某个元件与下层的某个元件上下对应或上下连接等，因此上下层之间的对准、套刻(Overlay)成为影响器件性能的重要因素。

目前对于上下层是否对准的方法有多重，例如CDSEM、基于衍射的套刻标记(DBO)或基于成像的套刻标记(IBO)等方法，但是每种方法得到的对准误差并不一致，因此并不能确定哪种方法确定的对准误差是准确的，应该采用哪种对准方法进行对准，给实际生产带来难题。所以，在本申请中所述套刻标记的形成方法可以参照目前公知的方法，并不局限于某一种。

鉴于上述技术问题的存在，有必要提出一种套刻对准的检测方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供了一种套刻对准的检测方法，所述方法包括：

提供第一膜层，在所述第一膜层中形成有若干间隔设置的参照图案；

在所述第一膜层上对准地形成第二膜层并获取对准偏差数值，在所述第二膜层上形成有开口，以相对于所述开口的中心轴对称地露出部分所述参照图案；

以所述第二膜层为掩膜蚀刻所述参照图案，以去除露出的所述参照图案；

去除所述第二膜层；

获取剩余的所述参照图案的信号不对称值；

根据所述信号不对称值判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准。

可选地，获取剩余的所述参照图案的信号不对称值的方法包括：

对剩余的所述参照图案进行照射并收集反射光信号的强度和位置，以得到处理前信号不对称值；

对所述反射光信号的强度和位置进行求导处理，以得到处理后信号不对称值；

计算所述处理前信号不对称值和所述处理后信号不对称值的差值，以得到所述信号不对称值。

可选地，判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准的方法包括：

当所述信号不对称值为零时，则所述第一膜层和所述第二膜层完全对准。

可选地，判断所述第一膜层和所述第二膜层是否对准的方法包括：