[发明专利]自对准接触结构及其形成方法

权利要求书

1.一种自对准接触结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其上形成有多个栅极结构；

形成一间隔物衬层于该多个栅极结构及该基板上；

形成一牺牲层于该多个栅极结构之间及之上；

形成多个介电插塞穿过该多个栅极结构上方的该牺牲层，其中该间隔物衬层介于该多个介电插塞的底表面及该多个栅极结构的顶表面之间；

移除该牺牲层且耗损该间隔物衬层的至少一部分，以形成该多个栅极结构之间的多个接触开口，并保留该间隔物衬层介于该多个介电插塞的底表面及该多个栅极结构的顶表面之间；

顺应性地形成一抗刻蚀层覆盖该多个接触开口的侧壁及底部及介于该多个介电插塞的底表面及该多个栅极结构的顶表面之间的间隔物衬层的侧壁；以及

形成多个接触插塞于该多个接触开口之中。

2.如权利要求1所述的自对准接触结构的形成方法，其特征在于，在形成该抗刻蚀层之后，对该抗刻蚀层进行一热工艺以致密化该抗刻蚀层，其中该热工艺温度介于0℃至1000℃，时间介于0分钟至100分钟，其中该抗刻蚀层包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合，其中该间隔物衬层包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合。

3.如权利要求1所述的自对准接触结构的形成方法，其特征在于，该多个接触插塞的形成包括：

刻蚀该多个栅极结构之间的该间隔物衬层，以露出该基板；

顺应性地形成一阻挡层覆盖该多个接触开口的侧壁及底部；以及

以一导电材料填充该多个接触开口。

4.如权利要求1所述的自对准接触结构的形成方法，其特征在于，更包括：

在移除该牺牲层之后，以及形成该抗刻蚀层之前，完全移除该间隔物衬层，其中该多个栅极结构之间的该牺牲层的最大宽度为该多个栅极结构间的距离的40％至200％，其中该多个栅极结构之间的该牺牲层突出于该多个栅极结构的高度为该多个栅极结构的高度的10％至100％。

5.如权利要求1所述的自对准接触结构的形成方法，其特征在于，该多个栅极结构于一第一方向的节距介于0.1μm至0.3μm之间。

6.一种自对准接触结构，其特征在于，包括：

多个栅极结构，位于一基板之上；

一间隔物衬层，位于该多个栅极结构的顶 表面与侧表面上，且露出该多个栅极结构的一上部；

多个介电插塞，位于该多个栅极结构的上方；

一抗刻蚀层，顺应性地覆盖于该多个介电插塞的侧壁及该多个栅极结构的侧壁上，该抗刻蚀层覆盖该多个栅极结构的该上部，且该抗刻蚀层覆盖介于该多个介电插塞的底表面及该多个栅极结构的顶表面之间的该间隔物衬层的侧壁；以及

多个接触插塞，位于该多个栅极结构之间的该基板之上，

其中该间隔物衬层介于该多个介电插塞的底表面及该多个栅极结构的顶表面之间。

7.如权利要求6所述的自对准接触结构，其特征在于，该抗刻蚀层包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合，其中该间隔物衬层包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合，其中该多个接触插塞包括：

一阻挡层，顺应性地覆盖于该多个栅极结构之间，且与该基板直接接触；以及

一导电材料，位于该多个栅极结构之间的该阻挡层之上。

8.如权利要求6所述的自对准接触结构，其特征在于，该多个栅极结构于一第一方向的节距介于0.1μm至0.3μm之间。