[发明专利]自对准接触结构及其形成方法

说明书

本发明提供一种自对准接触结构及其形成方法。该自对准接触结构的形成方法包括：提供基板，其上形成有栅极结构；形成间隔物衬层于栅极结构及基板上；形成牺牲层于栅极结构之间及之上；形成介电插塞穿过栅极结构上方的牺牲层；移除牺牲层以形成栅极结构之间的接触开口；顺应性地形成抗刻蚀层覆盖接触开口的侧壁及底部；以及形成接触插塞于接触开口之中。本发明避免了栅极结构与自对准接触结构之间的漏电流。

技术领域

本发明有关于一种半导体技术，且特别有关于一种自对准接触结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路产业经历快速成长。集成电路设计与材料的科技发展生产了数世代的集成电路，其中每个世代具备比上个世代更小及更复杂的电路。在集成电路发展的进程中，几何尺寸逐渐缩小。

随着集成电路尺寸缩小，自对准接触结构与栅极之间距离变小，因此短路产生漏电流的机率增加。传统上制作自对准接触结构时，栅极的侧壁间隔物可能在形成自对准接触结构时损耗。如此不完整的侧壁间隔物可能无法有效隔离自对准接触结构与栅极，而导致在循环操作(cycling)之后产生栅极至自对准接触结构之间的漏电流。

虽然现有的自对准接触结构对于原目的来说已经足够，其并非在各个面向皆令人满意。举例来说，栅极至自对准接触结构之间的漏电流仍需被改善。

发明内容

本发明一些实施例提供一种自对准接触结构的形成方法，包括：提供基板，其上形成有栅极结构；形成间隔物衬层于栅极结构及基板上；形成牺牲层于栅极结构之间及之上；形成介电插塞穿过栅极结构上方的牺牲层；移除牺牲层以形成栅极结构之间的接触开口；顺应性地形成抗刻蚀层覆盖接触开口的侧壁及底部；以及形成接触插塞于接触开口之中。

本发明另一些实施例提供一种自对准接触结构，包括：栅极结构，位于基板之上；间隔物衬层，位于栅极结构上，且露出栅极结构的上部；介电插塞，位于栅极结构的上方；抗刻蚀层，顺应性地(conformally)覆盖于介电插塞的侧壁及栅极结构的侧壁上，抗刻蚀层覆盖栅极结构的上部；以及接触插塞，位于栅极结构之间的基板之上。

本发明避免了栅极结构与自对准接触结构之间的漏电流。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是根据一些实施例绘示出自对准接触结构的制造方法的流程图。

图2-图12是根据一些实施例绘示出自对准接触结构的制造方法的各阶段剖面示意图。

图13是根据一些实施例绘示出具有自对准接触结构的存储器的布局。

图14是根据另一些实施例绘示出自对准接触结构的制造方法的流程图。

图15-图17是根据另一些实施例绘示出自对准接触结构的制造方法的各阶段剖面示意图。

附图标号

10～方法

12、14、16、18、20、22、24～步骤

100～自对准接触结构

102～基板

104～栅极结构

105～栅极

106～间隔物

108～间隔物衬层

110～牺牲层

112～介电插塞

112a～介电材料