[发明专利]形成芯片封装体的方法

权利要求书

1.一种形成芯片封装体的方法，包括：

将一芯片置于一再布线结构上，其中该再布线结构包括一第一绝缘层与一第一线路层，且该第一线路层位于该第一绝缘层中并电性连接至该芯片；

形成一坝结构于该再布线结构上并围绕该芯片；以及

在将该芯片置于该再布线结构上之后，经由一导电结构将一中介基板接合至该再布线结构，其中该芯片位于该中介基板与该再布线结构之间，该中介基板具有与该再布线结构相邻的一凹陷，该芯片的第一部分位于该凹陷中，该中介基板包括一基板与一导电通孔结构，且该导电通孔结构穿过该基板并经由该导电结构电性连接至该第一线路层，该导电结构包括一导电凸块或一导电柱，

该中介基板还包括一第一线路结构，该基板具有面对该再布线结构的一第一表面，该第一线路结构位于该第一表面上，该第一线路结构包括一第二绝缘层与该第二绝缘层中的一第二线路层，且该凹陷位于该第一线路结构中。

2.如权利要求1所述的形成芯片封装体的方法，还包括在将该中介基板接合至再布线结构之后，形成一底填层于该中介基板与该再布线结构之间，以及该中介基板与该芯片之间。

3.如权利要求1所述的形成芯片封装体的方法，其中在将该中介基板接合至再布线结构之前，形成该坝结构，其中该坝结构具有一开口，且该芯片位于该开口之上或之中。

4.如权利要求1所述的形成芯片封装体的方法，还包括在将该中介基板接合至该再布线结构之后，将一封装结构接合至该中介基板。

5.如权利要求1所述的形成芯片封装体的方法，其中该凹陷穿过该第一线路结构。

6.如权利要求1所述的形成芯片封装体的方法，其中该凹陷延伸至该基板中。

7.如权利要求6所述的形成芯片封装体的方法，其中该基板具有远离该再布线结构的一第二表面，该中介基板还包括一第二线路结构于该第二表面与该凹陷上，该第二线路结构包括一第三绝缘层与该第三绝缘层中的一导电层，且该凹陷更穿过该基板并露出该导电层。

8.如权利要求1所述的形成芯片封装体的方法，其中该基板的组成为纤维材料、聚合物材料、半导体材料、玻璃材料、或金属材料。

9.一种形成芯片封装体的方法，包括：

将一芯片置于一再布线结构上，其中该再布线结构包括一绝缘层与一第一线路层，且该第一线路层位于该绝缘层中并电性连接至该芯片；

经由一第一导电凸块将一中介基板接合至该再布线结构，其中该芯片位于该中介基板与该再布线结构之间，该中介基板具有与该再布线结构相邻的一凹陷，且该芯片的一部分位于该凹陷中；以及

形成一成型层，其围绕该中介基板与该第一导电凸块，其中该成型层部分地位于该中介基板与该再布线结构之间，且部分地位于该中介基板与该芯片之间。

10.如权利要求9所述的形成芯片封装体的方法，还包括：

在将该芯片置于该再布线结构上之前，形成该再布线结构于一载板上；以及

在形成该成型层之后，移除该载板。

11.如权利要求9所述的形成芯片封装体的方法，还包括：

在将该芯片置于该再布线结构上之前，形成一坝结构于该再布线结构上，其中该坝结构具有一开口；

将该芯片置于该再布线结构上的步骤包括经由一第二导电凸块接合该芯片至该再布线结构，且该第二导电凸块在该开口中。

12.如权利要求11所述的形成芯片封装体的方法，其中该坝结构的顶部位于该凹陷中。

13.如权利要求9所述的形成芯片封装体的方法，其中该中介基板包括一基板、一导电通孔结构、与一第二线路层，该导电通孔结构穿过基板并经由该第一导电凸块电性连接至该第一线路层，该第二线路层位于该基板之中或之上，且该第二线路层与该成型层及该芯片之间隔有该基板。