[发明专利]形成芯片封装体的方法

说明书

提供形成芯片封装体的方法。方法包括将芯片置于再布线结构上。再布线结构包括第一绝缘层与第一线路层，且第一线路层位于第一绝缘层中并电性连接至芯片。方法亦包括经由导电结构将中介基板接合至再布线结构。芯片位于中介基板与再布线结构之间。中介基板具有与再布线结构相邻的凹陷。芯片的第一部分位于凹陷中。中介基板包括基板与导电通孔结构，且导电通孔结构穿过基板并经由导电结构电性连接至第一线路层。

技术领域

本发明实施例关于芯片封装体，更特别关于其中介基板。

背景技术

半导体装置已用于多种电子应用中，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备中。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘层或介电层、导电层、与半导体于半导体基板上，并采用光刻工艺与蚀刻工艺图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于其上。

在半导体晶圆上通常形成有许多集成电路。半导体晶圆可切割成晶粒。接着可封装晶粒，且多种已发展的技术可用于封装。

发明内容

本公开一实施例提供形成芯片封装体的方法，包括：将芯片置于再布线结构上，其中再布线结构包括第一绝缘层与第一线路层，且第一线路层位于第一绝缘层中并电性连接至芯片；以及经由导电结构将中介基板接合至再布线结构，其中芯片位于中介基板与再布线结构之间，中介基板具有与再布线结构相邻的凹陷，芯片的第一部分位于凹陷中，中介基板包括基板与导电通孔结构，且导电通孔结构穿过基板并经由导电结构电性连接至第一线路层。

附图说明

图1A至图1J是一些实施例中，形成芯片封装体的工艺的多种阶段的剖视图。

图1D-1是一些实施例中，图1D的芯片封装体的俯视图。

图2是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图3A至图3B是一些实施例中，形成芯片封装体的工艺的多种阶段的剖视图。

图4是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图5是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图6是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图7A至图7B是一些实施例中，形成芯片封装体的工艺的多种阶段的剖视图。

图8A是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图8B是一些实施例中，图8A的芯片封装体的中介基板的俯视图。

图9A是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图9B是一些实施例中，图9A的芯片封装体的中介基板的俯视图。

图10A是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图10B是一些实施例中，图10A的芯片封装体的中介基板的俯视图。

图11是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图12是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图13是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

图14A至图14D是一些实施例中，形成芯片封装体的工艺的多种阶段的剖视图。

图15是一些实施例中，芯片封装体的剖视图。

附图标记说明：

A 粘着层

C1、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、100、300 芯片封装体

D1 深度

R 凹陷