[发明专利]半导体制造装置和用于半导体制造的方法

说明书

本发明实施例提供了半导体制造装置。半导体制造装置包括处理室；提供在处理室中并且被配置为固定和旋转半导体晶圆的衬底台；配置为将化学物质喷射至处理室的气体喷射器；附接至气体喷射器的窗口；以及与气体喷射器和窗口耦接的可调式紧固器件。本发明实施例涉及具有可调式气体喷射器的集成电路制造系统。

技术领域

本发明实施例涉及具有可调式气体喷射器的集成电路制造系统。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代IC都比上一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件或线)已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造设备中的类似发展。在一个实例中，利用等离子体处理系统来实施等离子体蚀刻工艺。在等离子体蚀刻期间，等离子体由蚀刻的材料的元素与由等离子体产生的反应物质之间的化学反应产生挥发性蚀刻产物，这改变了靶标的表面。等离子体处理系统包括保持在真空状态的处理室和化学物质供应模块，以提供化学蚀刻的化学物质。然而，现有的IC制造系统中的化学物质供应模块出现泄漏问题，这进一步降低了蚀刻性能。因此，提供一种没有上述缺点的IC制造系统和利用该系统的方法是期望的。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体制造装置，包括：处理室；衬底台，提供在所述处理室中并且被配置为固定和旋转半导体晶圆；气体喷射器，配置为将化学物质喷射至所述处理室；窗口，附接至所述气体喷射器；以及可调式紧固器件，与所述气体喷射器和所述窗口耦接。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体制造装置，包括：处理室；衬底台，配置在所述处理室中并且可操作以固定和旋转半导体晶圆；气体喷射器，附接至所述处理室并且设计为将化学物质喷射至所述处理室；O形环，提供至所述气体喷射器；窗口，附接至所述气体喷射器并且与所述O形环直接接触；气体喷射器盖，设置在所述窗口上；以及可调式紧固器件，与所述气体喷射器集成并且设计为将所述窗口和所述气体喷射器盖固定至具有可调高度的所述气体喷射器。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种用于半导体制造的方法，所述方法包括：提供半导体装置，所述半导体装置还包括处理室；衬底台，配置在所述处理室中并且可操作以固定和旋转半导体晶圆；气体喷射器，附接至所述处理室并且设计为将化学物质喷射至所述处理室；O形环，配置为至所述气体喷射器；窗口，附接至所述气体喷射器并且与所述O形环直接接触；气体喷射器盖，设置在所述窗口上；以及可调式紧固器件，与所述气体喷射器集成并且设计为将所述窗口和所述气体喷射器盖固定至具有可调高度的所述气体喷射器，其中，所述可调式紧固器件包括配置在所述气体喷射器盖上的基板；以及将所述气体喷射器盖紧固至所述气体喷射器的多个紧固件，其中，每个所述紧固件均包括螺栓、套装在所述螺栓上的第一螺母和第二螺母，其中，所述第一螺母配置在所述基板之上，并且所述第二螺母配置在所述基板和所述气体喷射器盖之间；调整所述可调式紧固器件将所述窗口固定至具有可调高度的所述气体喷射器；以及通过所述半导体装置对所述半导体晶圆实施蚀刻工艺。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例构建的用于集成电路制造的等离子体模块的示意图。

图2示出了根据一些实施例构建的具有可调式紧固机构的气体喷射器的等离子体模块的示意图。

图3A示出了根据一些实施例构建的可调式紧固器件的示意图。

图3B示出了根据一些实施例构建的可调式紧固器件的俯视图。