[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201810312699.3 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108428705A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 郭志轩;王凤国;方业周;李峰;武新国;刘弘;王子峰;李磊;李峰;李凯;田亮;赵晶;王争奎;马波;梁海琴;刘鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/041 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 基板 触控电极 走线 方向延伸 显示面板 显示装置 像素阵列 正投影 条栅 制备 像素开口率 阵列状配置 像素区域 短路 开口率 数据线 显示区 信号线 像素 栅线 绝缘 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,在其像素区域内以阵列状配置多个像素;
多条栅线,按沿像素阵列的第一方向延伸地形成在所述基板上;
多条触控电极走线,按沿像素阵列的第一方向延伸地形成在所述基板上、且与所述多条栅线绝缘;其中,所述触控电极走线在所述基板上的正投影与所述栅线在所述基板上的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极走线包括层叠的第一层走线和第二层走线,其中,第一层走线的材料包括金属银,第二层走线的材料包括氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极走线的宽度小于所述栅线的宽度。
4.根据权利要求1~3任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
触控电极,与所述触控电极走线电连接;
绝缘层,位于触控电极走线层和触控电极层之间,设有供所述触控电极走线和所述触控电极电连接的接触孔。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素包括至少两个颜色相互不同的子像素;
所述阵列基板还包括:
像素电极,按与所述子像素对应地形成在所述基板上,用于与所述触控电极之间形成驱动电场。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~5任一项所述的阵列基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板上形成栅线层,采用构图工艺形成栅线图形;
在栅线上形成触控电极走线,所述触控电极走线与所述栅线绝缘,且所述触控电极走线在所述基板上的正投影与所述栅线在所述基板上的正投影至少部分重叠。
9.根据权利要求8所述制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在触控电极走线上形成绝缘层,采用构图工艺在所述绝缘层中形成接触孔;
在绝缘层上形成触控电极层,采用构图工艺形成触控电极图形;所述触控电极与所述触控电极走线通过所述接触孔电相连。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法,其特征在于,在栅线上形成触控电极走线,包括以下步骤:
在栅线层上形成第一层走线层,所述第一层走线层的材料包括金属银;
在所述第一层走线层上形成第二层走线层,所述第二层走线层的材料包括氧化铟锡;
采用构图工艺形成触控电极走线图形,所述触控电极走线图形包括第一层走线和第二层走线双层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的