[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201810312699.3 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108428705A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 郭志轩;王凤国;方业周;李峰;武新国;刘弘;王子峰;李磊;李峰;李凯;田亮;赵晶;王争奎;马波;梁海琴;刘鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/041 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 基板 触控电极 走线 方向延伸 显示面板 显示装置 像素阵列 正投影 条栅 制备 像素开口率 阵列状配置 像素区域 短路 开口率 数据线 显示区 信号线 像素 栅线 绝缘 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,其中,阵列基板包括:基板,在其像素区域内以阵列状配置多个像素;多条栅线,按沿像素阵列的第一方向延伸地形成在基板上;多条触控电极走线,按沿像素阵列的第一方向延伸地形成在基板上、且与多条栅线绝缘;其中,触控电极走线在基板上的正投影与栅线在基板上的正投影至少部分重叠。本发明实施例提供的阵列基板,相比于现有技术中同类阵列基板,信号线所占的显示区面积较小,像素开口率较大,且不易出现触控电极走线与数据线之间短路的情况;因此,本发明实施例的阵列基板开口率较高,且可以避免发生x‑line不良。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
全内嵌式触控结构(FIC,Full in Cell)、高像素(PPI)、高开口率的产品已是目前低温多晶硅液晶显示面板(LTPS LCD)的主要发展方向,然而随着PPI的提高,现有的Fullin Cell型LCD产品设计必然会面临开口率不足的困境;具体地,由于现有的面板设计中,数据线(Date信号线)与触控电极走线(TPM信号线)同层布置,且信号线采用Ti/AL/Ti遮光材料,从而导致现有产品的开口率大大降低;同时,由于Date信号线与TPM信号线之间的间距较小,从而经常会由于材料余留(remain)或颗粒物(particle)等原因引起短接,进而导致驱动时Date信号线电压被拉低,以致该条Data信号线无法正常驱动像素,从而呈现X暗线(x-line)不良。
发明内容
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,其目的是提高FIC型触控显示面板的开口率、并避免该显示面板产生x-line不良。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种阵列基板,包括:
基板,在其像素区域内以阵列状配置多个像素;
多条栅线,按沿像素阵列的第一方向延伸地形成在所述基板上;
多条触控电极走线,按沿像素阵列的第一方向延伸地形成在苏搜狐基板上、且与所述多条栅线绝缘,其中,所述触控电极走线在所述基板上的正投影与所述栅线在所述基板上的正投影至少部分重叠。
本发明实施例提供的阵列基板中设有触控电极走线(TPM走线),即该阵列基板中设有触控结构,可用于制备全内嵌型(FIC,Full in Cell)触控显示面板;具体地,该阵列基板中的TPM走线与栅线(Gate走线)均沿像素阵列的第一方向延伸、且层叠地形成在基板上,即在俯视下TPM走线与Gate走线走向一致且至少部分重合,进而,相比于现有技术中将TPM走线与数据线同层设置的设计,该阵列基板结构中信号线所占的显示区面积较小,像素开口率较大,并且,该阵列基板不易出现TPM走线与数据线之间短路的情况;因此,本发明实施例提供的阵列基板的开口率较高,且可以避免发生x-line不良。进而,该阵列基板可以用于实现高像素(PPI)、高开口率的Full in Cell型触控显示产品。
一种可选的实施方案中,所述触控电极走线包括第一层走线和第二层走线,其中,第一层走线的材料包括金属银,第二层走线的材料包括氧化铟锡。
一种可选的实施方案中,所述触控电极走线的宽度小于所述栅线的宽度。
一种可选的实施方案中,所述阵列基板还包括:
触控电极,与所述触控电极走线电连接;
绝缘层,位于触控电极走线层和触控电极层之间,设有供所述触控电极走线和所述触控电极相连接的接触孔。
一种可选的实施方案中,所述像素包括至少两个颜色相互不同的子像素;
所述阵列基板还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的