[发明专利]闪存单元及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 201810312997.2 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108520877A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 连接区 外围区 开口 去除 半导体结构 闪存单元 器件区 衬底 制备 栅极层 光罩 刻蚀 节约 | ||
1.一种闪存单元的制备方法，其特征在于，所述闪存单元的制备方法包括：
提供衬底，所述衬底包括器件区、连接区及外围区；
在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层；
同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层，在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层；
去除所述第一开口底部及所述外围区的第一介质层，在所述连接区形成第二开口；
去除所述第二开口底部及所述外围区的栅极层，在所述连接区形成第三开口。
2.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极层的步骤包括：
在所述衬底上形成浮栅层；
去除所述连接区的浮栅层；
在所述浮栅层上形成控制栅层，所述控制栅层覆盖所述器件区及所述外围区的浮栅层，并且覆盖所述连接区的衬底；
去除所述外围区的控制栅层。
3.如权利要求2所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述浮栅层的厚度包括250埃～350埃；所述控制栅层的厚度包括550埃～650埃。
4.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，采用同一个光罩刻蚀所述同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层。
5.如权利要求4所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第一开口的呈“Z”字形。
6.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，采用酸液腐蚀的方法去除所述第一开口底部及所述外围区的第一介质层。
8.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括氮化层-氧化层的复合结构层，其中，所述氮化层的厚度包括300埃～500埃，所述氧化层的厚度包括1000埃～1200埃。
9.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，去除所述第二开口底部及所述外围区的栅极层，在所述连接区形成第三开口之后，所述闪存单元的制备方法还包括：
在所述外围区形成外围器件结构。
10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的闪存单元的制备方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
