[发明专利]闪存单元及半导体结构的制备方法

说明书

本发明提供了一种闪存单元及半导体结构的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层；同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层，在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层。由于形成所述连接区的第一开口及去除所述外围区的第一介质层是在同时完成的，简化了工艺，提高了效率，并且，由于形成了第一开口，后续可以沿着所述第一开口的底部去除连接区的第一介质层，而所述器件区由于还有第二介质层保护，不会对器件区造成影响，工艺简单、减少了刻蚀的步骤并且节约了光罩。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存单元及半导体结构的制备方法。

背景技术

快闪存储器(Flash memory)又称闪存，是非挥发性存储器的主流存储器。闪存的主要特点是在不加电的情况下能够长期保持存储的信息，并且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点。在微机和自动化控制领域得到了广泛的应用。

闪存中的存储结构、连接结构及逻辑器件通常在同一片晶圆上形成，由于连接结构及逻辑器件分别位于闪存单元的连接区及外围区，内部结构也有很大的区别，在形成连接结构及逻辑器件时，需要使用多个光罩进行多步刻蚀，工艺复杂，并且制造成本高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存单元及半导体结构的制备方法，以解决现有的形成闪存的工艺复杂、制造成本高等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存单元的制备方法，所述闪存单元的制备方法包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区、连接区及外围区；

在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层；

同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层，在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层；

去除所述第一开口底部及所述外围区的第一介质层，在所述连接区形成第二开口；

去除所述第二开口底部及所述外围区的栅极层，在所述连接区形成第三开口。

可选的，在所述衬底上形成栅极层的步骤包括：

在所述衬底上形成浮栅层；

去除所述连接区的浮栅层；

在所述浮栅层上形成控制栅层，所述控制栅层覆盖所述器件区及所述外围区的浮栅层，并且覆盖所述连接区的衬底；

去除所述外围区的控制栅层。

可选的，所述浮栅层的厚度包括250埃～350埃；所述控制栅层的厚度包括550埃～650埃。

可选的，采用同一个光罩刻蚀所述同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层。

可选的，所述第一开口的呈“Z”字形。

可选的，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或多种。

可选的，采用酸液腐蚀的方法去除所述第一开口底部及所述外围区的第一介质层。

可选的，所述第二介质层的材料包括氮化层-氧化层的复合结构层，其中，所述氮化层的厚度包括300埃～500埃，所述氧化层的厚度包括1000埃～1200埃。

可选的，去除所述第二开口底部及所述外围区的栅极层，在所述连接区形成第二开口之后，所述闪存单元的制备方法还包括：

在所述外围区形成外围器件结构。

本发明还提供了一种半导体结构的制备方法，采用所述闪存单元的制备方法。