[发明专利]老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法

权利要求书

1.一种老化性能优良的低残压压敏电阻制备方法，包括辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤，其特征在于，所述辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤依次进行经过辅料配制步骤获得辅助添加浆料，所述辅助添加浆料经过混合步骤获得ZnO浆料，所述ZnO浆料经过成型步骤获得ZnO坯体，所述ZnO坯体经过介绍步骤获得ZnO陶瓷，将所述ZnO陶瓷经过磨片步骤获得压敏电阻。

2.根据权利要求1中所述的老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，其特征在于，所述辅料配制步骤中，

所述辅助添加浆料的成分包括Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Co₂O₃、NiO、B₂O₃、Al(NO₃)₃、K₂SO₄、CaCO₃、MgO、去离子水，

所述辅助添加浆料的制备方法为：将Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Co₂O₃、NiO、B₂O₃、Al(NO₃)₃、K₂SO₄、CaCO₃、MgO放入球磨机中获得辅助添加粉料，然后加入去离子水、结合剂、分散剂、消泡剂，混合球磨，球磨120min，

所述辅助添加浆料中各成分的质量份数/摩尔份数比为：

所述辅助添加浆料中，辅助添加粉料与去离子水的质量份数为辅助添加粉料1份、去离子水2份。

3.根据权利要求1中所述的老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，其特征在于，所述混料步骤中，将辅助添加浆料与ZnO混合获得ZnO粉料，再加入去离子水，混合放入超细砂磨机砂磨，砂磨60min，使所有混合原料分散均匀为止，得到混合均匀的ZnO浆料，

所述ZnO浆料中，所述ZnO粉料与加入去离子水的质量份数为ZnO粉料1份、去离子水1份。

4.根据权利要求1中所述的老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，其特征在于，所述成型步骤中，

对ZnO浆料进行喷雾干燥，经喷雾干燥后的ZnO浆料含水量为1％，沉浮后使用液压压片机以及圆柱形模具，将颗粒料压片成型，获得ZnO坯体，

成型压力为150MPa，保压时间3min。

5.根据权利要求1中所述的老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，其特征在于，所述烧结步骤中，将ZnO坯体在封闭的气氛条件下，

以200℃/h的升温速度，将烧结温度提高至400℃；

在400℃的烧结温度下，持续保温排胶5；，

将烧结温度提高至1200℃；

在1200℃的烧结温度下，保温3h，使坯体致密，获得ZnO陶瓷。

6.根据权利要求1中所述的老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，其特征在于，在磨片步骤中，对ZnO陶瓷进行磨片处理，并在磨片处理后在所述ZnO陶瓷的表面喷制铝电极，获得压敏电阻。