[发明专利]一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件在审
| 申请号： | 201810314659.2 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108598076A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘继芝;张群浩;刘志伟;赵建明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/10;H01L29/735;H01L29/737 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浮空 触发电压 可调的 雪崩击穿电压 锗硅异质结 发射结 阴极 输入输出端 阳极 并联使用 静电放电 有效调节 接地 电源端 发射极 集电极 触发 集成电路 开路 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件，其特征在于，包括：
一个第一种导电类型硅衬底，
所述第一种导电类型硅衬底上形成一个第二种导电类型埋层，
所述第二种导电类型埋层上形成一个第二种导电类型区，
所述第二种导电类型区两侧各形成一个第二种导电类型重掺杂区，第二种导电类型重掺杂区与第二种导电类型区之间的高低结结面处均形成一个浅槽隔离区，且两个第二种导电类型重掺杂区均与ESD保护器件阳极相连接，
所述两个浅槽隔离区及第二种导电类型区表面上形成第一种导电类型锗硅区，
所述第一种导电类型锗硅区表面上形成K个第二种导电类型重掺杂多晶硅区、K≥1，每个第二种导电类型重掺杂多晶硅区两侧均形成氧化侧墙，且每个第二种导电类型重掺杂多晶硅区均与ESD保护器件的阴极相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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