[发明专利]具有异质接触件的集成电路在审
申请号: | 201810315561.9 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108695319A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 金兑衡;都桢湖;文大英;白尚叶;林哉炫;崔在承;韩相信 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L23/528;H01L27/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导电线 接触件 源极/漏极 底部表面 漏极接触 上部源 栅极接触 栅极线 竖直 集成电路 源极/漏极区域 彼此连接 顶部表面 延伸 异质 | ||
1.一种集成电路,包括:
第一有源区域,在衬底上在第一水平方向上延伸;
栅极线,在所述第一有源区域上在第二水平方向上延伸,所述第二水平方向与所述第一水平方向交叉;
源极/漏极区域,在所述第一有源区域上形成于所述栅极线的一侧处;
多个导电线,在与所述栅极线分离的平面上在所述第一水平方向上延伸,且包括第一导电线和第二导电线;
源极/漏极接触件,具有连接到所述源极/漏极区域的底部表面,且包括在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件;以及
栅极接触件,具有连接到所述栅极线的底部表面,且在所述竖直方向上延伸,
其中所述上部源极/漏极接触件放置在所述第一导电线下方,以及
所述栅极接触件放置在所述第二导电线下方。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述栅极接触件包括在所述竖直方向上彼此连接的下部栅极接触件和上部栅极接触件。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其中
所述上部源极/漏极接触件连接到所述第一导电线,以及
所述栅极接触件连接到所述第二导电线。
4.根据权利要求1所述的集成电路,更包括:
第一通孔,将所述上部源极/漏极接触件连接到所述第一导电线;以及
第二通孔,将所述栅极接触件连接到所述第二导电线。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二导电线放置在所述第一有源区域上方。
6.根据权利要求1所述的集成电路,更包括:
第二有源区域,在所述衬底上在所述第一水平方向上延伸,具有不同于所述第一有源区域的第一导电类型的第二导电类型,且与所述栅极线交叉,
其中所述第一有源区域和所述第二有源区域在所述衬底上彼此分离由设计规则界定的有源至有源最小空间。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中所述第二导电线放置在所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的区域上。
8.根据权利要求7所述的集成电路,其中所述多个导电线包括设置成邻近于所述第二导电线且放置在所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的第三导电线,以及
所述集成电路更包括放置在所述栅极线或另一栅极线与所述第三导电线交叉的点处的另一栅极接触件。
9.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述下部源极/漏极接触件的顶部表面大于所述上部源极/漏极接触件的底部表面。
10.一种集成电路,其包括:
第一有源区域和第二有源区域,在衬底上在第一水平方向上彼此平行地延伸;
多个栅极线,在所述第一有源区域和所述第二有源区域上在第二水平方向上延伸,所述第二水平方向与所述第一水平方向交叉;
多个源极/漏极区域,在所述第一有源区域和所述第二有源区域上形成于所述多个栅极线的相应侧处;
多个导电线,在与所述多个栅极线分离的平面上在所述第一水平方向上彼此平行地延伸;
多个源极/漏极接触件,各自具有连接到所述多个源极/漏极区域中的一个的底部表面,且各自在竖直方向上延伸;以及
多个栅极接触件,各自具有连接到所述多个栅极线中的一个的底部表面,且各自包括在所述竖直方向上彼此连接的下部栅极接触件和上部栅极接触件,
其中所述多个源极/漏极接触件和所述多个栅极接触件的所述上部栅极接触件分别放置在所述多个导电线下方。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述多个源极/漏极接触件中的每一个包括在所述竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810315561.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有电阻分压电路的半导体装置
- 下一篇:半导体PCM结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的