[发明专利]具有异质接触件的集成电路

说明书

本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。

相关申请的交叉引用

本申请主张2017年4月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0046296号的权益，所述申请的揭露内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明概念涉及集成电路，且更明确地说涉及具有异质接触件的集成电路和包含所述集成电路的半导体器件。

背景技术

随着半导体器件变得越来越复杂且越来越小，经由定制设计来设计半导体器件可能受到限制。因此，在设计半导体器件时，可以从根据所要功能制备的大量上层结构来生成满足功能条件的集成电路的布局，例如可以通过放置并布线各种标准单元来生成集成电路的布局。因此，这些标准单元中的每一个可能需要具有适合于通过微小半导体工艺制造的结构，并且需要减小单元尺寸以减少集成电路布局的面积。

发明内容

本发明概念提供具有异质接触件的集成电路，和包含集成电路的半导体器件，所述集成电路具有包含高效放置的异质接触件的布局。

根据本发明概念的方面，提供一种集成电路，其包含：第一有源区域，其在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，其在第一有源区域上在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向交叉；源极/漏极区域，其在第一有源区域上形成于栅极线的一侧处；多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。

根据本发明概念的另一方面，提供一种集成电路，其包含：第一有源区域和第二有源区域，其在衬底上在第一水平方向上彼此平行地延伸；多个栅极线，其在第一有源区域和第二有源区域上在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向交叉；多个源极/漏极区域，其在第一有源区域和第二有源区域上形成于多个栅极线的相应侧处；多个导电线，其在与多个栅极线分离的平面上在第一水平方向上彼此平行地延伸；多个源极/漏极接触件，其各自具有连接到多个源极/漏极区域中的一个的底部表面，且各自在竖直方向上延伸；以及多个栅极接触件，其各自具有连接到多个栅极线中的一个的底部表面，且各自包含在竖直方向上彼此连接的下部栅极接触件和上部栅极接触件，其中多个源极/漏极接触件和多个栅极接触件的上部栅极接触件分别放置在多个导电线下方。

根据本发明概念的另一方面，提供一种集成电路，其包含：第一有源区域和第二有源区域，其在衬底上在第一水平方向上彼此平行地延伸；多个栅极线，其设置在第一有源区域和第二有源区域上且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个源极/漏极区域，其在第一有源区域和第二有源区域上形成于多个栅极线的相应侧处；多个导电线，其在多个栅极线上方且与多个栅极线分离的平面上在第一水平方向上彼此平行地延伸；多个源极/漏极接触件，其各自具有连接到多个源极/漏极区域中的一个的底部表面，且各自在竖直方向上延伸；以及多个栅极接触件，其各自具有连接到多个栅极线中的一个的底部表面，且在竖直方向上延伸，其中集成电路更包含以下中的至少一个：多个栅极接触件中的每一个包含在竖直方向上彼此连接的下部栅极接触件和上部栅极接触件；且多个源极/漏极接触件中的每一个包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件。

附图说明