[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器(DRAM)，包括：

一存储器阵列；

一控制电路，经配置以接收一读取位址及该读取位址的一缺陷信息；

一存取电路，经配置以根据来自该控制电路的该读取位址而从该存储器阵列产生一读取数据；以及

一修改电路，连接到该存取电路和该控制电路，其中该修改电路经配置以根据该缺陷信息而修改该读取数据的一部分。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该修改电路包括一翻转电路，经配置以修改该读取数据的该部分，该翻转电路根据该缺陷信息将该读取数据的至少一个位元从一第一逻辑状态翻转至一第二逻辑状态。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其中该修改电路还包括一位址暂存器，经配置以存储来自该控制电路的该缺陷信息。

4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括一错误更正电路，连接到该修改电路。

5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其中该修改电路经配置以修改该读取数据的一第一部分，该错误更正电路经配置以更正未被该修改电路修改的该读取数据的一第二部分。

6.一种动态随机存取存储器(DRAM)，包括：

一存储器阵列；

一控制电路，经配置以接收一读取位址；

一存取电路，经配置以根据来自该控制电路的该读取位址而从该存储器阵列产生一读取数据；

一修改电路，包括连接到该控制电路的一位址暂存器及连接到该存取电路的一翻转电路；以及

一错误更正电路，连接到该修改电路且经配置以产生该读取数据的一缺陷信息；

其中该位址暂存器连接到该错误更正电路以接收该读取位址的该缺陷信息，该翻转电路经配置以根据该缺陷信息而修改该读取数据的一部分。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其中该翻转电路经配置以修改该读取数据的该修改部分，该翻转电路根据该缺陷信息将该读取数据的至少一个位元从一第一逻辑状态翻转至一第二逻辑状态。

8.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其中该错误更正电路连接到该控制电路，该错误更正电路经配置当该读取数据包括一无法更正错误时，则向该控制电路发送一信号。

9.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其中该控制电路经配置以排定该修改电路的一更正操作。

10.一种动态随机存取存储器的操作方法，包括：

接收一读取位址；

根据该读取位址，从一存储器阵列产生一读取数据；

接收该读取数据的一缺陷信息；以及

根据该缺陷数据，修改该读取数据的一部分以产生一修改数据。

11.如权利要求10所述的操作方法，其中修改该读取数据的一部分包括：根据该缺陷信息，将该读取数据的至少一个位元从一第一逻辑状态翻转到一第二逻辑状态。

12.如权利要求10所述的操作方法，还包括：将该缺陷信息存储到一位址暂存器中，以及根据来自该位址暂存器的该缺陷信息而将该读取数据的至少一位元从一第一逻辑状态翻转到一第二逻辑状态。

13.如权利要求10所述的操作方法，包括：修改该读取数据的一第一部分，以及更正该读取数据的一第二部分。

14.如权利要求13所述的操作方法，其中修改该读取数据的一第一部分是由一修改电路执行，更正该读取数据的一第二部分是由一错误更正电路执行。

15.该如权利要求10所述的操作方法，还包括：判断该修改数据是否包括一无法更正错误。