[发明专利]一种PCB背钻对准度的测试结构和方法有效
申请号: | 201810315611.3 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108511360B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 万里鹏;刘梦茹;纪成光 | 申请(专利权)人: | 生益电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 523127 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pcb 对准 测试 结构 方法 | ||
1.一种PCB背钻对准度的测试结构,其特征在于,包括:多个由一个一钻孔和多个参考孔组成的测试单元;
所述测试单元中,多个所述参考孔围绕所述一钻孔设置,所述一钻孔与每个所述参考孔的孔心距相等;
所述一钻孔经过背钻获得背钻孔,所述背钻孔的圆心与所述一钻孔的圆心重合时,所述背钻孔的孔壁到所述参考孔的孔壁的最小距离为设定的孔间距;
多个所述测试单元对应多个所述孔间距的取值,相邻两个所述测试单元具有共同的所述参考孔。
2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于:
所述测试结构设置在PCB的线路图形单元的四周。
3.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于:
所述孔间距的取值为1mil至10mil;
多组所述测试单元之间,所述孔间距的差距为0.1mil至1mil。
4.一种PCB背钻对准度的测试方法,其特征在于:
在PCB上设置权利要求1至3任一项所述的测试结构;
通过所述背钻孔与所述参考孔的位置关系确定背钻对准度。
5.根据权利要求4所述的测试方法,其特征在于,通过所述背钻孔与所述参考孔的位置关系确定背钻对准度,包括:
对一个测试结构上的每个测试单元进行判断,若所述背钻孔与所述测试单元中的每个参考孔均相离,则所述测试结构上相应的测试单元中,背钻孔与参考孔的孔间距的最小取值为背钻对准度。
6.根据权利要求4或5所述的测试方法,其特征在于,在PCB上设置测试结构,包括:
在PCB上线路图形单元的四周分别设置一个测试结构,作为一组测试结构;
为PCB上不同直径的背钻孔分别设置至少一组测试结构。
7.根据权利要求5所述的测试方法,其特征在于,通过所述背钻孔与所述参考孔的位置关系确定背钻对准度之后,还包括:
根据所述背钻对准度确定是否进行生产。
8.根据权利要求7所述的测试方法,其特征在于,根据所述背钻对准度确定是否进行生产,包括:
若背钻对准度大于预设需求对准度,则背钻对准度不足,不进行生产,调整背钻的钻孔参数;
若背钻对准度小于或等于预设需求对准度,则可以进行生产。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造