[发明专利]一种OLED基板及其制备方法有效
申请号: | 201810319314.6 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108428726B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 杨明;玄明花;丛宁;岳晗;张粲;王灿;陈小川;杨盛际;陈亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张雨竹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED基板的制备方法,包括:在衬底上的显示区形成若干OLED器件,所述OLED器件包括阳极、阴极、位于所述阳极和所述阴极之间的有机层,所述有机层包括发光层和功能层;其特征在于,
所述显示区的阴极呈阵列排布,且每个所述阴极覆盖多个所述OLED器件所在的区域,所述阴极之间相互绝缘;每个所述阴极通过所述功能层上的过孔与至少一根触控电极引线电连接;
其中,形成所述功能层,包括:将蒸镀源蒸发的有机材料,通过开放掩膜版沉积在所述显示区,同时,利用蒸镀遮挡装置进行遮挡,使有机材料沉积在所述显示区的除待形成所述过孔的位置处,形成包括所述过孔的所述功能层;
所述蒸镀遮挡装置包括若干隔离柱;
所述隔离柱与所述基板之间具有间距。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述隔离柱的个数与所述功能层上所述过孔的个数相等;
利用蒸镀遮挡装置进行遮挡,包括:将所述蒸镀遮挡装置与待形成所述功能层的基板对位,使所述隔离柱靠近所述基板并与待形成所述过孔的位置一一对应。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述蒸镀遮挡装置还包括载板,所述隔离柱固定于所述载板上;
所述载板位于所述蒸镀源所在平面的远离所述基板一侧,且所述蒸镀源位于所述载板的外围。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,设所述隔离柱与所述基板之间的间距为h,其中,H为所述蒸镀源所在平面距离所述基板竖直方向的距离,W为所述隔离柱相对两侧距离最远的两个所述蒸镀源的间距,w为所述过孔的直径,P为沿所述隔离柱相对两侧距离最远的两个所述蒸镀源的距离方向,所述隔离柱的宽度。
5.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,所有所述隔离柱的高度相等,且靠近所述基板的顶端的尺寸相等。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,形成所述功能层时,调节所述蒸镀源的喷头角度,并控制喷头在各角度下的蒸镀时间,以使所述功能层的膜厚均一。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述触控电极引线与形成于衬底和所述功能层之间的金属层同步形成。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的