[发明专利]一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺在审
| 申请号： | 201810319721.7 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108559976A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 关统州 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/511 | 分类号： | C23C16/511;C23C16/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶硅太阳能电池 板式 制备组件 硅片 氨气 氮气 抽真空处理 电池成品率 电池片边缘 太阳能电池 惰性气体 高均匀度 混合气体 均匀性好 输送气体 温度区域 制备工艺 转换效率 等离子 石墨框 石墨舟 发白 硅烷 沉积 冷却 送入 激发 制造 | ||
1.一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：
S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；
S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为340-360摄氏度、360-380摄氏度、380-400摄氏度、400-420摄氏度、420-440摄氏度、440-460摄氏度和460-480摄氏度；
S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为10-12秒、10-12秒、10-12秒、10-12秒、10-12秒、5-8秒和4-6秒；
S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：所述步骤S1中的板式PECVD的高频电源频率为13.56MHz，低频电源频率为380KHz。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：所述步骤S1中的惰性气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：所述步骤S2中的7个不同的温度区域从板式PECVD的炉口到炉尾依次设置。
5.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：所述步骤S3中，硅烷和氨气的气体总流量为2000-2200sccm，且硅烷和氨气的流量比为1:5。
6.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：所述步骤S3中的板式PECVD内的压力为500-600mTorr，微波源功率为3-3.5KW。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
