[发明专利]提取与互连中断相关的电流电平的方法

说明书

公开了一种用于防止中断的电流电平提取方法。该方法可以包括：开始对处于某一温度的互连结构的电压扫描；测量互连结构的初始电阻；计算互连结构的根据对应输入电压的测量电阻；判断互连结构的测量电阻与初始电阻的电阻比是否小于或等于预设值；当互连结构的电阻比小于或等于预设值时，将对应于测量电阻的电流值更新为潜在最大电流电平并且重复计算测量电阻的步骤；以及当互连结构的电阻比大于预设值时，将与测量电阻相对应的电流值设置为最大电流电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月12日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0088482的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种提取半导体集成电路设备中的电流的方法，更具体地，涉及一种刚好在因过电应力(electrical over stress，EOS)而导致互连中断之前提取电流电平的方法。

背景技术

总体来说，EOS可以指因由使用电源电压的装置的泄漏电流和泄漏电压引起的异常过电流或异常过电压而导致的电击。因EOS而导致的故障可以意味着脉冲宽度通常在几十微秒(μs)或者更宽的范围之内。

不同于静电放电(ESD)，由于EOS与直流(DC)电流具有相似的特性，因此EOS可能具有相对较大的功耗。EOS可能引起半导体集成电路设备中的热迁移，从而导致互连中断。

目前，已经提出了一种通过提取因EOS而引起互连中断的最大电流电平来预先防止中断故障的方法。

发明内容

在本公开的一个实施例中，可以提供一种提取最大电流电平的方法。该方法可以包括对处于某一温度的互连结构进行电压扫描。该方法可以包括测量互连结构的初始电阻。该方法还可以包括测量互连结构的根据电压扫描中输入的对应电压的电阻。该方法可以包括判断在电压扫描中测量的互连结构的电阻与初始电阻的电阻比是否小于或等于预设值。该方法可以包括：当互连结构的电阻比小于或等于预设值时，重复测量互连结构的电阻的步骤。该方法可以包括：当互连结构的电阻比大于预设值时，将根据与电压扫描中测量的电阻相对应的电压的电流值设置为最大电流电平。

在本公开的一个实施例中，可以提供一种提取最大电流电平的方法。该方法可以包括对处于某一温度的互连结构进行电压扫描。该方法可以包括测量互连结构的根据输入电压的初级电流。该方法可以包括测量互连结构的根据后续输入电压的次级电流。该方法可以包括判断电流差值是否大于或等于0，电流差值通过从次级电流减去初级电流来获得。该方法可以包括：当电流差值大于或等于0时，重复测量初级电流、测量次级电流以及判断电流差值是否大于或等于0的步骤。该方法可以包括：当电流差值小于0时，将与刚好在下一个输入电压之前的输入电压相对应的初级电流设置为最大电流电平。

在本公开的一个实施例中，可以提供一种提取最大电流电平的方法。该方法可以包括对处于某一温度的互连结构进行电压扫描。该方法可以包括测量互连结构的根据对应电压的初级电阻。该方法可以包括测量互连结构的根据下一个对应电压的次级电阻。该方法可以包括将初级电阻与次级电阻进行比较以产生电阻比较结果。该方法可以包括根据电阻比较结果，重复测量初级电阻、测量次级电阻以及将初级电阻与次级电阻进行比较的步骤，或者使用最大电流电平测量装置来设置最大电流电平。

附图说明

图1是示出根据本公开的一个实施例的互连结构的立体图。

图2是示出根据本公开的一个实施例的应用于互连结构的电压-电流扫描的曲线图。

图3是说明根据本公开的一个实施例的最大电流电平提取方法的流程图。

图4是示出根据本公开的一个实施例的电压扫描中的电流-电压曲线的曲线图。

图5是示出图4的电压扫描中电压和电阻的曲线图。