[发明专利]一种晶圆芯片测试方法

说明书

本发明提供一种晶圆芯片测试方法。包括如下步骤：对第一晶圆芯片进行全比例测试，得到第一测试数据；其中，第一晶圆芯片位于未经减薄和切割的晶圆上，晶圆能切割成多个第一晶圆芯片；对第二晶圆芯片进行全比例测试，得到第二测试数据；其中，第二晶圆芯片为对第一晶圆芯片减薄和切割后所得到的；对相对应的第一晶圆芯片的第一测试数据和第二晶圆芯片的第二测试数据进行合档处理，得到第三测试数据。本发明提供的晶圆芯片测试方法，第三测试数据中的电学数据源自第二测试数据中第二电学数据，可以真实表征晶圆切割后的良率状况；第三测试数据中的光学数据源自第一测试数据中的第一光学数据，解决了晶圆芯片无法侦测芯片真实光学参数的问题。

技术领域

本发明涉及芯片测试分选技术领域，尤其涉及一种晶圆芯片测试方法。

背景技术

在芯片完成半成品状态，即未经减薄和切割的晶片(未经减薄和切割的晶圆：ChipOn Wafer)状态，会对每片上的芯片进行半成品测试，透过光电参数判定该片是否具备进一步加工之价值。半成品测试可以是抽测，也可以全测，例如通常抽测是指从单片晶片中按照一定的比例抽取一定数量颗芯粒进行测试，统计其上光电参数符合预设标准下之良率水平是否达标。该抽样良率可一定程度代表该片晶圆整体良率水平。满足该良率要求的未经减薄和切割的晶圆会被减薄和激光切割、断裂成单颗芯粒，这些芯粒由一张粘性蓝膜所粘附，称为圆片(晶圆芯片：Chip On Tape)。如上所述，减薄、激光切割、断裂等加工工序有可能对部分晶圆芯片造成永久性破坏，因此，晶圆芯片下成品良率将小于或等于半成品未经减薄和切割的晶圆良率。通常情况下，参照晶圆芯片测试数据对这些成品芯粒进行筛选分类，用以提高单项光电参数之集中度，同时剔除不良芯片，提高封装成品率。因此，在晶圆芯片阶段对晶片上的每一颗芯粒进行测试以获取它的光电特性显得至关重要。

随着芯片技术的发展，出现了更多结构、类型的晶圆芯片。例如倒装结构芯片、垂直结构芯片以及紫外芯片等，它们的发光面与电极位于芯片的正反两侧。通常情况下对此类芯片进行测试时，测试机探针与光学侦测探头分别位于待测晶片的上下两侧，具体而言是指利用上方的探针接触芯粒之正负电极并定量注入电流/电压，采集芯片电压/电流特性，而光学侦测装置位于待测晶片之下方，当芯粒被点亮时侦测由芯粒背面发射出的光线。目前这种测试方式可以有效使用在未经减薄和切割的晶圆测试中。

但是在晶圆芯片测试环节，由于芯粒被粘附在蓝膜之上，而蓝膜又需要被真空吸附固定在载台之上，因此芯粒背面发射出的光线需要至少先穿透蓝膜方能被下方的光学侦测装置侦测到，而蓝膜材料对不同波段的光线的自身吸收、干扰甚至遮挡，极大的影响了此类芯片光学侦测的准确性和可行性。尤其是对于紫外和深紫外芯片而言，蓝膜材料对紫外和深紫外光的吸收效应尤甚，已经导致在晶圆芯片环节无法有效侦测芯片真实光学参数。更进一步导致分选无法进行。

发明内容

本发明提供一种晶圆芯片测试方法，解决了现有倒装芯片、垂直芯片以及紫外芯片类型的晶圆芯片无法有效侦测芯片真实光学参数的问题。

本发明提供一种晶圆芯片测试方法，包括如下步骤：

对第一晶圆芯片进行全比例测试，得到第一测试数据；

其中，第一晶圆芯片位于未经减薄和切割的晶圆上，晶圆能切割成多个第一晶圆芯片；

对第二晶圆芯片进行全比例测试，得到第二测试数据；

其中，第二晶圆芯片为对第一晶圆芯片减薄和切割后所得到的；

对相对应的第一晶圆芯片的第一测试数据和第二晶圆芯片的第二测试数据进行合档处理，得到第三测试数据。

进一步的，本发明提供的晶圆芯片测试方法，

第一测试数据包括第一电学数据、第一光学数据和第一绝对坐标；

第二测试数据包括第二电学数据、第二光学数据和第二绝对坐标；