[发明专利]一种集成电路封装结构及其加工方法在审
| 申请号： | 201810320806.7 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108364928A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 施保球 | 申请（专利权）人： | 气派科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人： | 徐翀 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区平湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基岛 集成电路封装结构 银环 封装材料 芯片 封装结构 水汽 隔离区 结合力 安置 外沿 围合 加工 侵入 源头 | ||
1.一种集成电路封装结构，包括基岛、芯片和封装材料，其特征在于，
所述基岛的正面形成有银环，所述银环内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述隔离区的宽度不小于10微米。
3.根据权利要求2所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述隔离区的宽度介于10微米至200微米之间。
4.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述银环的宽度不小于100微米。
5.根据权利要求4所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述银环的宽度不大于300微米。
6.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述安置区、所述隔离区、引线框的其他区域以及银环的底部的表面具有电化学方法形成的镀铜层。
7.根据权利要6所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述镀铜层的厚度介于0.125至0.25微米之间。
8.根据权利要求7所述的集成电路封装结构，其特征在于，
所述镀铜层已经过防铜剥离化学液处理。
9.一种如权利要求1所述的集成电路封装结构的加工方法，其特征在于，所述方法包括：
制作引线框，所述引线框包括基岛和外引脚；
在所述引线框的表面镀铜，形成一厚度介于0.125至0.25微米之间的镀铜层；
在所述基岛的正面环镀银，形成一银环，所述银环的内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区，所述隔离区的宽度不小于10微米；
在所述安置区利用装片胶固定芯片，在所述芯片和所述外引脚之间焊接引线，用封装材料封装所述芯片和所述外引脚以及引线，形成规定的外形。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述基岛的正面环镀银之前，还包括：
对所述镀铜层进行防铜剥离化学液处理。
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