[发明专利]一种集成电路封装结构及其加工方法

说明书

本发明公开了一种集成电路封装结构及其加工方法，该封装结构包括基岛、芯片和封装材料，所述基岛的正面形成有银环，所述银环内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区。本发明技术方案提高了基岛与封装材料之间的结合力，可从源头上避免水汽侵入，整体上提高了集成电路封装结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种集成电路封装结构及其加工方法。

背景技术

现在的集成电路如EMSOP8的封装结构，为了实现很好的散热，其基岛01的背面是裸露在空气中，基岛01的正面和侧面则被树脂02包封，其中，存放芯片03的基岛正面全镀银，形成有镀银层04，镀银的目的是为了焊接地线，不可缺少。

实践发现，封装结构中的树脂和银表面的结合力不是很好，就造成基岛的正面和树脂结合不紧密，容易造成水汽侵入。而且，在镀银层表面会做防导电胶扩散化学处理，该处理层如果在包封前的生产的高温过程中没有挥发完，会更进一步降低树脂和银表面的结合力。

发明内容

本发明实施例提供一种集成电路封装结构及其加工方法，用于提高其中基岛与封装材料之间的结合力，避免水汽侵入，提高封装结构的可靠性。

采用的技术方案为：

一方面，提供一种集成电路封装结构，包括基岛、芯片和封装材料，所述基岛的正面形成有银环，所述银环内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区。

另一方面，提供一种如上所述的集成电路封装结构的加工方法，包括：制作引线框，所述引线框包括基岛和外引脚；在所述引线框的表面镀铜，形成一厚度介于0.125至0.25微米之间的镀铜层；在所述基岛的正面环镀银，形成一银环，所述银环的内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区，所述隔离区的宽度不小于10微米；在所述安置区利用装片胶固定芯片，在所述芯片和所述外引脚之间焊接引线，用封装材料封装所述芯片和所述外引脚以及引线，形成规定的外形。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：

在基岛正面电镀形成银环，用于地线焊接，而基岛正面其他区域仍为基岛本身的铜材质，这样封装结构中的封装材料例如树脂和基岛接触部分只有极少部分是镀银的，大部分是和铜表面接触，而铜和树脂的结合力要好于银和树脂的结合，因此，可以避免水汽侵入，提高封装结构的可靠性。

可以理解，如果银环的外沿、基岛的侧面以及空气重合，则由于树脂和银接触的结合力不好，那么边缘部位会成为水汽侵入点，直至遇到树脂和基岛的铜表面接触的区域时，才会降低向里面推进的速度，但是水汽还是已经进入封装结构内，只是进去以后才减慢向内扩散的速度，仍然不能较好的解决水汽入侵问题。

而本发明技术方案中，在银环外沿与基岛边沿之间形成隔离区，而隔离区仍为铜材质，和树脂封装材料具有较好的结合力，可以严防水汽从基岛的边缘侵入，这样就从源头上解决了水汽入侵的问题，确保封装结构的高可靠性。

可见，本发明技术方案，一方面，通过在基岛正面设银环取代全表面镀银，减少银和封装材料的接触面积，增加基岛本身的铜材质与封装材料的接触面积，来减少水汽的入侵，提高可靠性；另一方面，将银环设在基岛正面边沿靠内的区域，与基岛边沿之间留出一隔离区，利用该隔离区的铜材质与封装材料的紧密结合，严防水汽入侵，从源头上解决了水汽入侵的问题；从而，实现了提高基岛与封装材料结合力，避免水汽侵入，提高封装结构可靠性的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。