[发明专利]一种福建山樱花的不定芽再生方法

权利要求书

1.一种福建山樱花的不定芽再生方法，包括以下步骤：

1)获得外植体

采集福建山樱花开花55天后的果实，清洗、消毒后切开种皮，取出成熟胚的子叶，作为外植体；

2)诱导不定芽

将成熟胚的子叶切分后接种于诱导培养基中，暗培养30～40天，诱导出不定芽；

其中，所述的诱导培养基以WPM培养基为基本培养基，并含有噻苯隆1.65～2mg/L和吲哚丁酸0.5～1mg/L；

3)伸长培养

将获得的不定芽切下，接种至不定芽伸长培养基中，光照培养10～15天，获得伸长的不定芽；

光照培养条件为：温度为25～28℃，光照时间14～16小时，光照强度为2000～3000勒克斯；

4)生根培养

将茎长大于1.5cm的不定芽从基部剪下，分成单株，接入生根培养基中，培养10～20天后生根，得到生根苗；

培养条件为：温度为25～28℃，光照时间14～16小时，光照强度为2000～3000勒克斯；

5)炼苗、驯化

将培养生根苗的培养瓶盖打开，室温下炼苗2～3天，移栽至基质中，保持温度20～30℃，驯化培养10～15天，得到福建山樱花幼苗。

2.根据权利要求1所述福建山樱花的不定芽再生方法，其特征在于，步骤3)所述的不定芽伸长培养基以WPM培养基为基本培养基，并添加了6-苄基腺嘌呤0.5～1mg/L和赤霉素0.3～0.6mg/L。

3.根据权利要求1所述福建山樱花的不定芽再生方法，其特征在于，步骤4)所述的生根培养基以WPM培养基为基本培养基，并添加了吲哚丁酸0.5～1mg/L。

4.根据权利要求1所述福建山樱花的不定芽再生方法，其特征在于，步骤2)的暗培养中，温度为25～28℃。

5.根据权利要求1所述福建山樱花的不定芽再生方法，其特征在于，步骤2)所述诱导培养基、步骤3)所述不定芽伸长培养基和/或步骤4)所述生根培养基中分别添加蔗糖20～30g/L和琼脂6～8g/L，培养基pH值为5.6～5.8。

6.根据权利要求1所述福建山樱花的不定芽再生方法，其特征在于，步骤3)所述不定芽伸长培养基和/或步骤4)中所述生根培养基中添加活性炭0.4～0.6g/L。

7.根据权利要求1-6任一项所述福建山樱花的不定芽再生方法，其特征在于，步骤5)中所述基质为：草炭土：珍珠岩＝3～4：1，体积比。