[发明专利]光刻模型生成方法以及OPC修正方法

权利要求书

1.一种光刻模型生成方法，其特征在于，包括：

提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案；

将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝，所述多个子狭缝为连续的；

获得每个子狭缝的子光刻模型；

则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。

2.如权利要求1所述的光刻模型生成方法，其特征在于，对于一个所述子狭缝具有方位角在晶圆上具有与所述每个子狭缝对应的长度坐标，其中r为所述弧形狭缝图案的半径，小于等于各自子狭缝的圆心角，x_i为在长度坐标中对应的直角对边的长度。

3.如权利要求2所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述长度坐标为所述每个子狭缝独用。

4.如权利要求3所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述弧形狭缝图案的方位角区间为所述一个区域在所述长度坐标上的区间为[x_m，x_t)，对应在所述弧形狭缝图案的方位角区间为则所述一个区域的光刻模型其中k≤n，k为所述一个区域所对应的所述子狭缝的数量，n为所述子狭缝的数量。

5.如权利要求1所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述多个子狭缝的圆心角为0.5度～5度。

6.如权利要求5所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述多个子狭缝的圆心角为0.8度～2度。

7.如权利要求5或6所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述多个子狭缝的圆心角相同。

8.如权利要求1所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述一个区域的宽度为10-20μm。

9.如权利要求4所述的光刻模型生成方法，其特征在于，n≥20。

10.一种OPC修正方法，其特征在于，包括如权利要求1～9中任意一项光刻模型生成方法。

11.如权利要求10所述的OPC修正方法，其特征在于，包括：将芯片单元分割为多个子区域，由每个所述子区域的边界在长度坐标上的区间分别计算每个所述子区域的光刻模型。

12.如权利要求11所述的OPC修正方法，其特征在于，采用并行处理计算每个所述子区域的光刻模型。