[发明专利]光刻模型生成方法以及OPC修正方法

说明书

本发明揭示了一种光刻模型生成方法及OPC修正方法，本发明提供的光刻模型生成方法包括：提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案；将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝，所述多个子狭缝为连续的；获得每个子狭缝的子光刻模型；则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。由此，能够正确的实现EUV光刻模型的建立，并且是生成了能够实现与一整个弧形狭缝相符合的连续的光刻模型。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光刻模型生成方法以及掩膜版制造方法。

背景技术

光刻是一种将所需图形转移至衬底上，从而在不同的区域建立图形的工艺过程。具体地，光刻通过曝光将图形成像到设置在衬底表面的光刻胶层(材料为光敏感的抗蚀剂)而实现图形转移。

随着半导体技术的飞速发展，光刻所要曝光的图形特征尺寸越来越小，要求光刻的分辨率越来越高，而光刻的分辨率主要体现在CD上，CD是待曝光图形的特征尺寸(或临界尺寸)。CD的减小可以由三种途径实现：减小曝光波长、增大数值孔径、或减小光刻因子。

为了通过减小曝光波长来获得较小曝光图形的特征尺寸，极紫外(ExtremeUltraviolet，EUV)光已被研究应用于光刻中。但是极紫外光刻过程中，设备上的狭缝为弧状，不同于DUV(Deep Ultraviolet，深紫外)等光刻设备，因此，需要设计相对应的光刻模型来实现曝光过程。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻模型生成方法以及OPC修正方法，较好的实现EUV光刻。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻模型生成方法，包括：

提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案；

将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝，所述多个子狭缝为连续的；

获得每个子狭缝的子光刻模型；

则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，对于一个所述子狭缝具有方位角在晶圆上具有与所述每个子狭缝对应的长度坐标，其中r为所述弧形狭缝图案的半径，小于等于各自子狭缝的圆心角，x_i为在长度坐标中对应的直角对边。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，所述长度坐标为所述每个子狭缝独用。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，所述一个区域在所述长度坐标上的区间为[x_m，x_t)，对应在所述弧形狭缝图案的方位角区间为则所述一个区域的光刻模型其中k≤n，k为所述一个区域所对应的所述子狭缝的数量，n为所述子狭缝的数量。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，所述多个子狭缝的圆心角为0.5度～5度。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，所述多个子狭缝的圆心角为0.8度～2度。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，所述多个子狭缝的圆心角相同。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，所述一个区域的宽度为10-20μm。

可选的，对于所述的光刻模型生成方法，n≥20。

本发明还提供一种OPC修正方法，包括如上所述的光刻模型生成方法。

可选的，对于所述的OPC修正方法，包括：将芯片单元分割为多个子区域，由每个所述子区域的边界在长度坐标上的区间分别计算每个所述子区域的光刻模型。

可选的，对于所述的OPC修正方法，采用并行处理计算每个所述子区域的光刻模型。