[发明专利]在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法在审
| 申请号： | 201810323187.7 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108336014A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 罗加聘;柯天麒;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽隔离结构 半导体材料层 去除 图像传感器 氧化物层 漏电流 减小 | ||
1.一种在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括：
在所述半导体材料层中形成沟槽；
对所述沟槽的壁进行化学方法去除处理以去除预定厚度；以及
在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上形成氧化物层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述氧化物层通过如下途径进行：
对经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁进行热氧化处理以形成所述氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化物层之前还包括：
在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上进行外延生长处理以生长半导体材料，
其中，形成所述氧化物层通过如下途径进行：对经过所述外延生长处理的所述沟槽的壁进行热氧化处理以形成所述氧化物层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学方法去除处理与所述外延生长处理在同一个处理设备中进行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学方法去除处理通过处理气体进行，所述处理气体具有去除形成所述半导体材料层的材料的能力。
6.根据1中任一项所述的方法，其特征在于，所述化学方法去除处理与形成所述氧化物层的处理在同一个处理设备中进行。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学方法去除处理去除的所述预定厚度的范围为
8.根据3所述的方法，其特征在于，通过所述外延生长处理生长的所述半导体材料的厚度的范围为
9.根据1所述的方法，其特征在于，形成的所述氧化物层的厚度的范围为
10.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，通过如1至9所述的方法在所述图像传感器的半导体衬底中形成沟槽隔离结构，其中，
所述半导体衬底用于在其中形成光电二极管；以及
所述沟槽形成在所述光电二极管的周围。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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