[发明专利]在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法

说明书

本公开涉及一种在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法，包括：在所述半导体材料层中形成沟槽；对所述沟槽的壁进行化学方法去除处理以去除预定厚度；以及在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上形成氧化物层。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法、沟槽隔离结构、以及图像传感器。本公开能够减小或抑制沟槽隔离结构引起的漏电流。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法、一种形成图像传感器的方法、一种沟槽隔离结构、以及一种图像传感器。

背景技术

形成在半导体材料层中的沟槽隔离结构(例如，浅沟槽隔离(STI)结构、深沟槽隔离(DTI)结构等)在图像传感器中可以被用于电学隔离。例如，可以用于光电二极管与光电二极管之间、以及光电二极管与其他器件(例如晶体管)之间等的电学隔离。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提出一种新的在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法、形成图像传感器的方法、沟槽隔离结构、以及图像传感器。

根据本公开的第一方面，提供了一种在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法，包括：在所述半导体材料层中形成沟槽；对所述沟槽的壁进行化学方法去除处理以去除预定厚度；以及在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上形成氧化物层。

根据本公开的第二方面，提供了一种形成图像传感器的方法，通过上述的方法在所述图像传感器的半导体衬底中形成沟槽隔离结构，其中，所述半导体衬底用于在其中形成光电二极管；以及所述沟槽形成在所述光电二极管的周围。

根据本公开的第三方面，提供了一种沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构形成在半导体材料层中，包括：氧化物层，位于沟槽的壁处，其中，所述氧化物层通过如下过程形成：对所述沟槽的壁进行化学方法去除处理以去除预定厚度；以及在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上形成所述氧化物层。

根据本公开的第四方面，提供了一种图像传感器，包括如上述的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构形成在所述图像传感器的半导体衬底中，其中，所述半导体衬底用于在其中形成光电二极管；以及所述沟槽隔离结构位于所述光电二极管的周围。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法的流程图。

图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法的流程图。

图3至8是分别示意性地示出了在根据本公开一个示例性实施例来在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的一个方法示例的一些步骤处的半导体材料层的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式